| 查看: 983 | 回复: 4 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
[交流]
纳米半导体异质结复合中能带问题
|
|||
|
最近看到一些文献，关于纳米半导体的复合体中能带结构及位置的变化电子空穴的转移问题。 我们拿pn结异质结为例，复合时由于二半导体费米能级的不同会导致电子的转移以及能带导带、价带的上下相对移动使其相对电位的变化。 那么在纳米半导体复合中复合前后半导体能带导带、价带电位相对于单体是否有随能带上下移动呢？可是我发现很多文献对复合前后能带电位问题没有什么讨论，貌似电位没有什么变化，还是我的理解有误呢？请高人指点迷津，多谢！！ |
回复此楼» 猜你喜欢
院士团队-每届学生都优秀-高自由度-团队氛围好
已经有0人回复
-
求调剂
已经有3人回复
-
金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有243人回复
-
化工学院（学院正式调剂群+联系方式）
已经有0人回复
-
化工学院（学院官方群）-院士团队招生-学生自由度高-培养模式成熟高效
已经有0人回复
-
黑龙江大学分析化学招调剂
已经有0人回复
-
武汉高校国家级人才团队招收材料，化学，纺织等专业硕士调剂生
已经有26人回复
-
纺大化工学院（官方群）-院士团队招生-学生自由度高发展好-培养模式成熟
已经有0人回复
-
温州大学化材学院王娟课题组招生
已经有5人回复
-
学院官方群-院士团队招生-学生自由度高-培养模式成熟已有10余名学生赴985海外深造
已经有0人回复
-
武汉纺织大学化工学院官方群-院士团队招生-学生自由度高-10余名学生赴985海外深造
已经有0人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 半导体与半导体形成的异质结叫什么
已经有11人回复
- 金属-半导体接触属于异质结吗
已经有5人回复
- 求助 在做光阳极的时候怎样证明p型半导体薄膜与n型半导体薄膜之间形成了p-n异质结
已经有17人回复
- 半导体薄膜异质结制备要求
已经有8人回复
» 抢金币啦！回帖就可以得到:
-
赣南师范大学肖兴教授课题组招2026级电子信息硕士 4-6 名，欢迎调剂
+1/82
-
讲师身份申请面上项目中标率有影响吗
+1/75
-
青岛科技大学生物工程学院招调剂硕士研究生
+1/71
-
北京-89175-事业单位-诚征女友
+1/64
-
招聘︱国家纳米科学中心丁宝全杰青团队诚聘博士后（特别研究助理）
+2/50
-
招聘︱国家纳米科学中心丁宝全杰青团队诚聘博士后（特别研究助理）
+2/40
-
安徽工程大学化学与环境工程学院对外招收2026级调剂硕士研究生
+1/38
-
哈尔滨工业大学（深圳）-何自开教授团队诚招化学工程与技术专业博士研究生
+1/30
-
武汉纺织大学全重硕士调剂
+1/29
-
济南大学水利与环境学院赵艳侠教授简介
+1/24
-
API项目寻求落地合作
+1/23
-
招聘科研助理——储能方向（储能、流体传热、CFD模拟）
+1/23
-
汕头大学海洋与生命学科李升康教授团队招收生物类调剂生
+1/21
-
【博士招生】广东工业大学国家优青课题组招收2026年环境方向博士生
+1/7
-
大连理工大学气体监测与环境催化团队诚聘副教授、助理教授及博士后3-4名
+1/6
-
教育部长江学者和创新团队发展计划”入选团队招收 材料，化学与化工博士研究生
+1/5
-
南医大基础医学院招收调剂生（2生信1生物））
+1/3
-
金属材料先进连接技术
+1/3
-
26年环境博士申请
+1/3
-
2026年北京石油化工学院环境学科-水污染控制工程方向课题组欢迎您
+1/1
★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
fbqrdzs: 金币+5, 应助指数+1, well done 2017-01-26 11:33:43
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
fbqrdzs: 金币+5, 应助指数+1, well done 2017-01-26 11:33:43
|
个人觉得楼主问题应该一分为二，对pn异质结来说，由于多子（包括n结里的电子和p结内的空穴）的扩散，会在pn结界面处形成内建电场，在光照下，一般来说，由于内建电场的驱使，p-type CB上的光生电子会朝n-type上的CB上迁移，而n-type上的光生空穴会朝p-type上的VB迁移【Wang xc*, Semiconductor heterojunction photocatalysts:design, construction, and photocatalytic performances，Chem. Soc. Rev, 2014】。但也见过反常的例子，pn异质结形成后会如楼主所说，二半导体费米能级的不同会导致能带导带、价带的上下相对移动使其相对电位的变化，从而达到一个平衡态的费米能级，结果就是一半导体CB中的电子与另一半导体中VB里留下的空穴复合，最终形成所谓的Z-scheme异质结【Dong Fan*, Three dimensional Z-scheme (BiO)2CO3/MoS2with enhanced visiblelight photocatalytic NO removal.Applied Catalysis B: Environmental 199 (2016) 87–95】。比较少见，就目前我也只见过这一篇文献。 当然还有一类是非pn异质结，复合后自身能带结构不发生改变（可能是没有多子扩散的影响了吧？），构成错位的能带结构，由于电位差形成的内建电场（有别于p-n结的多子扩散形成的内建电场）的作用，电子从高CB往低CB流，空穴从低VB往高VB流。 以上供参考，欢迎继续讨论。 |
5楼2017-01-23 17:45:16
2楼2017-01-22 10:54:21
3楼2017-01-22 11:19:36
4楼2017-01-22 11:22:31
