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高对称性时,TiO2 的 DOS 导带劈裂 ; P1对称性时 TiO2 的 DOS 导带不劈裂
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高对称性时,TiO2 的 DOS 导带劈裂 ; P1对称性时 TiO2 的 DOS 导带不劈裂
高对称性时,计算出TiO2得DOS 导带如下图:
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2011-08-28 22:25:17
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mazuju028(金币+2): 谢谢交流 2011-08-29 22:46:23
嘿嘿,刚刚回复的匆忙了,好像应该是(属性->DOS)选项中的空带数目吧,好久没用MS了
而且不确定的是:楼主置疑的是两幅图中2eV之上部分的差别吗?如果是,可以参考我的意见,否则就忽略吧
因为你这两个计算中,涉及到的空带能量范围不一致,前者计算到了10eV的空带,而后者只算到了3eV,这种情况下比较DOS中2eV之上部分,当然会不同。因此建议增加p1计算时候的空带数目,使之也能够扩展到10eV左右,那么在DOS中2eV之上的区域就会一致了。
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7楼
2011-08-29 22:43:51
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P1对称性时,计算出得TiO2 DOS 导带为:
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2楼
2011-08-28 22:26:07
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你计算两种对称性的时候用的是同一个cell吗?
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3楼
2011-08-29 05:23:38
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3楼
:
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bingmou
at 2011-08-29 05:23:38:
你计算两种对称性的时候用的是同一个cell吗?
对,同一个晶胞
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4楼
2011-08-29 10:33:25
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