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dcm20102

金虫 (小有名气)

[求助] 恒电流沉积(计时电位法)的参数设置

我要在Cu2SO4溶液中电沉积Cu2O, 恒电位沉积电位为-0.45V vs SCE,用的是CHI760D工作站,不知道如何设置参数,如下设置有没有问题?能否给个建议,越详细越好~~另外我因为要控制沉积的厚度,能否通过沉积时间控制沉积电量呢?

阴极电流:0.00018A
阳极电流:0
高电位限制: 1
High E hold time: 0
低电位限制:-1
Low E hold time: 0
阴极时间(秒):11700
阳极时间(秒):0
起始极性: 阴极
数据存贮间隔: 0.1
段数:1
电流极性切换优先:时间
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xz_mouse

铁杆木虫 (正式写手)

引用回帖:
8楼: Originally posted by kaven-johe at 2012-03-10 11:16:58:
我做过这种恒电流沉积,参数设定和楼主基本一致。如果做阴极恒流,那么就把阳极电流设为0,同时阳极时间也可以设为0,也可以设为很小的一个时间,如0.1s。我想说,这么做,可以实现沉积。但 是不是完全正确我也不 ...

嗯嗯,谢谢这个大侠,我也是只要沉积结果不作分析,准备按这个试试,如果做出来一定大谢!
9楼2012-03-11 20:50:29
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yanflower7133

木虫 (职业作家)

恒电位沉积电位为-0.45V vs SCE,你是想恒电流沉积还是恒电位沉积啊?
忘了昨天,从今天开始,努力!
2楼2011-08-16 15:49:35
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jttk

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

dcm20102(金币+3): 2011-08-17 13:23:50
沉积单质铜的话是可以用时间来控制电量进而控制沉积厚度的。
3楼2011-08-16 18:54:53
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wenchao58

新虫 (小有名气)

我也在做这方面的工作,求解!!
4楼2011-08-17 11:24:18
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