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chanown

木虫 (著名写手)

[交流] 为什么制作太阳电池却要吸杂(P/B),而太阳能级硅生产要除磷,硼 已有4人参与

菜鸟求解惑。。。
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SCU_magiclee

铁杆木虫 (正式写手)

硅材料研发人员


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吸杂工艺和除硼、磷工艺主要是针对冶金法(物理法)生产的太阳能级硅的,因为冶金法(物理法)生产的太阳能级硅含有很多金属杂质和硼磷,金属在硅中是深能级,复合活性大,加速载流子的复合,载流子还没扩散到PN结就复合了,对电池的转换效率是不利的,所以要尽量除去。硼磷太多,补偿度高的话也不好,影响迁移率和电阻率,继而影响短路电流。。总之,一切都是为了转换效率服务的。西门子法生产的太阳能级硅的话就相反,因为纯度较高,还要掺杂硼和磷,否则电阻率太高影响短路电流,而且界面也不容易钝化,电极也不好做。。大概就这些吧,希望对你有用!多交流

[ Last edited by SCU_magiclee on 2011-8-9 at 19:02 ]
是金子总会发光!!!
2楼2011-08-09 18:56:31
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chanown

木虫 (著名写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by SCU_magiclee at 2011-08-09 18:56:31:
吸杂工艺和除硼、磷工艺主要是针对冶金法(物理法)生产的太阳能级硅的,因为冶金法(物理法)生产的太阳能级硅含有很多金属杂质和硼磷,金属在硅中是深能级,复合活性大,加速载流子的复合,载流子还没扩散到PN结 ...

谢谢,受教了
3楼2011-08-10 10:38:09
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chanown

木虫 (著名写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by SCU_magiclee at 2011-08-09 18:56:31:
吸杂工艺和除硼、磷工艺主要是针对冶金法(物理法)生产的太阳能级硅的,因为冶金法(物理法)生产的太阳能级硅含有很多金属杂质和硼磷,金属在硅中是深能级,复合活性大,加速载流子的复合,载流子还没扩散到PN结 ...

我有听到一种解释:电池制作吸杂(P/B),主要是吸收硅片内层的金属杂质,吸杂的磷硼主要在表层,吸杂完后可以切除
4楼2011-08-10 10:40:46
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SCU_magiclee

铁杆木虫 (正式写手)

硅材料研发人员


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引用回帖:
4楼: Originally posted by chanown at 2011-08-10 10:40:46:
我有听到一种解释:电池制作吸杂(P/B),主要是吸收硅片内层的金属杂质,吸杂的磷硼主要在表层,吸杂完后可以切除

两种说法没有矛盾啊。主要目的就是除金属啊,吸完也不是切的吧,应该是刻蚀掉磷硅玻璃(PSG)。
铸锭后和拉单晶的话倒是要切除边皮和头尾。。但这一步不是吸杂啊,只是由于分凝和扩散,以及干锅污染,金属杂质富集在晶体边缘,所以要切除。
主流电池工艺的吸杂其实和磷扩散退火是兼容的,制结形成的磷硅玻璃(PSG)和浅表层里面被吸纳的金属的含量是要多些的,一般用混合酸刻蚀掉这一层。而冶金法(物理法)的硅做电池时,吸杂工艺就更为重要,因为其金属含量多。

[ Last edited by SCU_magiclee on 2011-8-10 at 11:54 ]
是金子总会发光!!!
5楼2011-08-10 11:53:46
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daividyuan

金虫 (著名写手)

学习了
我只想趁年轻的时候,给自己一个牛逼的机会。
6楼2011-09-30 10:09:36
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liguangming

新虫 (初入文坛)


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改良西门子法生产多晶硅硼杂质如何除去,选用的除杂方法是什么,原理是什么
7楼2011-12-15 13:23:13
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meixinyidian

铁杆木虫 (正式写手)


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如果要作为光伏材料,半导体必须纯度达到一定标准,这样我们才可以人为地向半导体中掺杂,得到我们想要的一些性质

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
8楼2011-12-16 10:24:16
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