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chanown木虫 (著名写手)
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[交流]
为什么制作太阳电池却要吸杂（P/B）,而太阳能级硅生产要除磷，硼 已有4人参与
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 圭圭火 |
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chanown
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3楼2011-08-10 10:38:09
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吸杂工艺和除硼、磷工艺主要是针对冶金法（物理法）生产的太阳能级硅的，因为冶金法（物理法）生产的太阳能级硅含有很多金属杂质和硼磷，金属在硅中是深能级，复合活性大，加速载流子的复合，载流子还没扩散到PN结就复合了，对电池的转换效率是不利的，所以要尽量除去。硼磷太多，补偿度高的话也不好，影响迁移率和电阻率，继而影响短路电流。。总之，一切都是为了转换效率服务的。西门子法生产的太阳能级硅的话就相反，因为纯度较高，还要掺杂硼和磷，否则电阻率太高影响短路电流，而且界面也不容易钝化，电极也不好做。。大概就这些吧，希望对你有用！多交流 [ Last edited by SCU_magiclee on 2011-8-9 at 19:02 ] |
2楼2011-08-09 18:56:31
chanown
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4楼2011-08-10 10:40:46
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两种说法没有矛盾啊。主要目的就是除金属啊，吸完也不是切的吧，应该是刻蚀掉磷硅玻璃（PSG）。 铸锭后和拉单晶的话倒是要切除边皮和头尾。。但这一步不是吸杂啊，只是由于分凝和扩散，以及干锅污染，金属杂质富集在晶体边缘，所以要切除。 主流电池工艺的吸杂其实和磷扩散退火是兼容的，制结形成的磷硅玻璃（PSG）和浅表层里面被吸纳的金属的含量是要多些的，一般用混合酸刻蚀掉这一层。而冶金法（物理法）的硅做电池时，吸杂工艺就更为重要，因为其金属含量多。 [ Last edited by SCU_magiclee on 2011-8-10 at 11:54 ] |
5楼2011-08-10 11:53:46
