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【请教】晶粒大小对掺杂的影响
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在LPCVD制备掺硼的氧化锌薄膜时，维持温度和其他参数、流量不变，而只改变沉积时间。 实验后发现，晶粒较小的时候，电子密度随晶粒增大上升非常快，晶粒超过一定值之后就稳定了。 晶粒较小时，小晶粒会 1、对有效掺杂效率产生影响 晶粒尺寸太小，晶界过多，导致掺杂原子更多掺入到了晶界中而不是晶体内部，体现在电阻率上就是其对晶粒尺寸的敏感性。当晶粒尺寸增加一点，电阻率就会下降很多。 2、对迁移率的影响 晶粒尺寸太小，晶界过多，导致电子在移动过程中，会遭遇更多的碰撞，进而降低了速度，体现在迁移率上就是其对晶粒尺寸的敏感性，随晶粒尺寸的增加而迅速增加。 问题： 1、为什么晶粒小的时候掺杂效率会比较低，如果说晶粒小的时候硼不容易掺杂进去，又是什么原因掺不进去？希望大家从理论上解释一下。 2、上述解释是否合理。 3、可否介绍涉及晶粒与掺杂方面的相关专业书籍。 谢谢！  [ Last edited by dst1213 on 2011-8-4 at 11:06 ] |
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