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lj5882006
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采用了溶胶凝胶法,旋涂工艺制备的薄膜。测性能,用什么方法把底电极露出来!怎么才能对薄膜损坏最小呢?欢迎大家讨论一下!
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2011-08-01 15:32:15
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wangjiawei2807
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lj5882006(金币
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):谢谢参与
你的表述不清,
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2011-08-01 18:13:13
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lj5882006
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nofrunolif(金币+1): 谢谢交流! 2011-11-17 14:11:11
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3楼
:
Originally posted by
wangjiawei2807
at 2011-08-01 18:13:13:
你的表述不清,
采用旋涂法制备薄膜,测电学性能时,往往是将薄膜直接覆盖在底电极上面,最后在薄膜上面做面电极。形成电容结构。但是,底电极时完全被薄膜覆盖了的,所以要采取一些方法才能够露出底电极,这样才能联通上下电极测试性能。现在,讨论的是怎么样才能够把底电极露出来,且尽量对上面的薄膜损坏最小?
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2011-08-01 19:47:26
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):谢谢参与
lj5882006(金币+2): 谢谢了哈! 2011-08-02 08:16:37
HF酸腐蚀样品一角,首先要确认样品是否能够被HF酸腐蚀;
或者切断样品,漏出断面,点金浆,烧结后,以这个金点作为低电极,因为它与底电极连通了;
另外就是制备的时候,就把底电极边缘覆盖一层不耐高温的材料,薄膜制备完成后,通过高温处理,把它去除掉,底电极就露出来了。
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2011-08-01 22:29:27
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lj5882006(金币+2): 谢谢了哈! 2011-08-02 08:16:17
整个基底是导电的吧,从背面直接引不就行了吗。如果基底不是导电的,建议用导电硅做基底,就会省去很多麻烦。
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6楼
2011-08-01 23:16:04
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lj5882006
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欢迎大家继续讨论哈!
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2011-08-02 08:22:14
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):谢谢参与
希望有更有建设性的意见
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2011-08-02 12:25:46
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):给个红包,谢谢回帖
lj5882006(金币+2): 2011-08-03 19:11:46
nofrunolif(金币+1): 谢谢交流! 2011-11-17 14:11:19
引用回帖:
1楼
:
Originally posted by
lj5882006
at 2011-08-01 15:32:15:
采用了溶胶凝胶法,旋涂工艺制备的薄膜。测性能,用什么方法把底电极露出来!怎么才能对薄膜损坏最小呢?欢迎大家讨论一下!
有划硅片的刀吗? 直接在样品的一角或边上划就能把底电极露出来的, 很简单。楼主不妨试下。
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9楼
2011-08-03 18:41:15
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lj5882006
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9楼
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Originally posted by
mse507
at 2011-08-03 18:41:15:
有划硅片的刀吗? 直接在样品的一角或边上划就能把底电极露出来的, 很简单。楼主不妨试下。
把硅片划了,怎么才能保证不把底电极一起划了呢?比如底电极是溅射的铂电极呢,铂电极一般就只有100nm左右啊,上面的功能薄膜也只有几百个nm的。
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10楼
2011-08-03 19:11:10
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lj5882006(金币+2): 谢谢了哈,这个可以试试哈! 2011-08-03 22:11:35
我听说可以预先在基片的一角涂上银浆,后在涂膜好像可以。溶胶不会在银浆上成膜
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11楼
2011-08-03 20:25:32
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lj5882006
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大家继续讨论吧!肯定还有其他办法的,我听说可以离子束打薄露出衬底
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12楼
2011-08-07 08:45:06
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polymer1211
2楼
2011-08-01 15:48
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lj5882006(金币
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zhangwj(金币-2): 新虫的金币你也忍心用纯表下手领啊?!不厚道啊... 2011-08-01 16:08:31
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