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lj5882006

金虫 (小有名气)


[交流] 溶胶凝胶

采用了溶胶凝胶法,旋涂工艺制备的薄膜。测性能,用什么方法把底电极露出来!怎么才能对薄膜损坏最小呢?欢迎大家讨论一下!
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mse507

木虫 (正式写手)


★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
lj5882006(金币+2): 2011-08-03 19:11:46
nofrunolif(金币+1): 谢谢交流! 2011-11-17 14:11:19
引用回帖:
1楼: Originally posted by lj5882006 at 2011-08-01 15:32:15:
采用了溶胶凝胶法,旋涂工艺制备的薄膜。测性能,用什么方法把底电极露出来!怎么才能对薄膜损坏最小呢?欢迎大家讨论一下!

有划硅片的刀吗? 直接在样品的一角或边上划就能把底电极露出来的, 很简单。楼主不妨试下。
9楼2011-08-03 18:41:15
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lj5882006

金虫 (小有名气)



nofrunolif(金币+1): 谢谢交流! 2011-11-17 14:11:11
引用回帖:
3楼: Originally posted by wangjiawei2807 at 2011-08-01 18:13:13:
你的表述不清,

采用旋涂法制备薄膜,测电学性能时,往往是将薄膜直接覆盖在底电极上面,最后在薄膜上面做面电极。形成电容结构。但是,底电极时完全被薄膜覆盖了的,所以要采取一些方法才能够露出底电极,这样才能联通上下电极测试性能。现在,讨论的是怎么样才能够把底电极露出来,且尽量对上面的薄膜损坏最小?
4楼2011-08-01 19:47:26
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guody

铁杆木虫 (正式写手)



lj5882006(金币+1):谢谢参与
lj5882006(金币+2): 谢谢了哈! 2011-08-02 08:16:37
HF酸腐蚀样品一角,首先要确认样品是否能够被HF酸腐蚀;
或者切断样品,漏出断面,点金浆,烧结后,以这个金点作为低电极,因为它与底电极连通了;
另外就是制备的时候,就把底电极边缘覆盖一层不耐高温的材料,薄膜制备完成后,通过高温处理,把它去除掉,底电极就露出来了。
5楼2011-08-01 22:29:27
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lj5882006(金币+1):谢谢参与
lj5882006(金币+2): 谢谢了哈! 2011-08-02 08:16:17
整个基底是导电的吧,从背面直接引不就行了吗。如果基底不是导电的,建议用导电硅做基底,就会省去很多麻烦。
6楼2011-08-01 23:16:04
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