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由紫外-可见光谱怎样算出半导体催化剂的带隙?求详细解说
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liuxiaoxia24
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由紫外-可见光谱怎样算出半导体催化剂的带隙?求详细解说
现已表征了紫外-可见吸收光谱 看文献中又通过一个公式 又做了一条曲线 做切线便得到半导体的带隙。自己看了几篇文献没找到详细的解说,望有热心人士帮忙解释一下,不胜感激!
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1楼
2011-07-21 16:08:57
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liuxiaoxia24
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引用回帖:
Originally posted by
wzandrew
at 2011-07-21 16:41:14:
这个方程是通过好几个方程推导出来的,你有兴趣找公式慢慢推导哈。能推出来的,我之前推过,不过最近想再推一次结果就云里雾里了。生疏了~悲剧~
平常就用ahv-hv作图就好了,也不用推
能否说明一下 那个图是怎么做出来的 要用到紫外可见的数据对吧 怎么用呢
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3楼
2011-07-21 17:18:39
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wzandrew
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liuxiaoxia24(金币+1): 2011-07-21 17:17:37
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2楼
2011-07-21 16:41:14
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wzandrew
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催化大师(金币+2): 谢谢指点,欢迎常来催化版讨论! 2011-07-21 21:44:03
liuxiaoxia24(金币+1): 2011-07-22 09:10:29
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4楼
2011-07-21 19:08:39
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引用回帖:
537185楼
:
Originally posted by
wzandrew
at 2011-07-21 19:08:39
引用一下:利用(Ahν)^2 对 hν 做图,利用直线部分外推至横坐标交点,即为禁带宽度值。也可利用(Ahν)^0.5对 hν 做图,利用直线部分外推至横坐标交点,即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值,后者为直接半 ...
你这个说反了吧,应该是前者是直接半导体禁带宽度值,后者是间接半导体禁带宽度值。
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5楼
2012-09-08 20:46:26
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