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ZYD630铁杆木虫 (正式写手)
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什么是Burstein-Moss effect?
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qiuzhizhe81
新虫 (初入文坛)
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- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
【答案】应助回帖
ZYD630(金币+2): Thanks a lot! 2011-08-18 07:32:27
| 莫斯-布尔斯坦效应（moss-burstein effect）是由泡利不相容原理引起的，当在半导体中掺杂增加时其带隙改变，价带顶和导带中未占据能态发生分离。n型重掺杂时由于费米能级在导带中而使带隙改变加大（p型时在价带中），由于载子浓度过高，在导带已经有一些电子填入时，使电子从导带跃迁至价带则需要更多的能量，满带阻碍热激发和光激发，从而效应是n型半导体中可以增强能带间隙宽，从而影响某物质的荧光发射和紫外吸收的峰位置。该效应称之为Burstein Moss effect（莫斯-布尔斯坦效应），也称之为蓝移效应。其常用于荧光光谱的解释中。 |
2楼2011-08-13 20:41:11