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cenwanglai荣誉版主 (知名作家)
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纳米棒沿着[110]方向生长，为什么{110}面是优势暴露面？
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纳米棒沿着[110]方向生长，为什么{110}面是优势暴露面？如何通过TEM判断优势暴露面的占总暴露面的面积比例？ 详细内容见老帖子需要求助的问题1： http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=3225362&fpage=1 |
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2楼2011-06-29 09:46:47
cenwanglai
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4楼2011-06-29 10:01:28
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5楼2011-06-29 10:19:12
cenwanglai
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6楼2011-06-29 10:26:30
【答案】应助回帖
cenwanglai(金币+5): 谢谢回复！ 2011-06-29 10:33:41
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那我就简单和你讨论一下吧。 例如立方相材料，沿【100】方向生长。但是，{100}面指的是晶面族，也就是说（100），（010），(001)等晶面都属于{100}晶面族。对于{110}晶面族，那么（110）、（101）、（011）、(1-10)、（10-1）、（01-1）这六个晶面都属于这个晶面族。请注意大括号代表晶面族，小括号代表具体的晶面，中括号代表晶轴，也就是晶体方向。以上规定在结晶学领域是约定俗成的。 一般来说，优势暴露面是低指数面，也即低能面。立方相沿【100】方向生长，那么从晶体结构来看，暴露面可能是{110}或者{100}，取决于相对应的表面能地大小。 同样，对于沿着[110]方向生长的立方相材料，优势暴露面可能是{110}面或者{001}面，画个简单的示意图就明白是怎么回事了。至于计算面的比例，那么结合TEM来分析也比较简单。 最主要的就是我最前面讲的，千万不要把大、中、小括号的含义弄混了。 希望以上的说明能对你有所帮助。 |
7楼2011-06-29 10:28:39
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8楼2011-06-29 10:42:39
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补充两点吧（不算应助，仅供参考）： 1.对于立方相{111}晶面族，比较复杂，【111】方向生长时，可能的优势暴露面往往是{111}或者{112}。对于Si和SiC体系会经常遇到类似的现象。 2.对于六方相体系的分析，更为复杂。因为晶面一般用四指数表示。例如（１００）面实际应该表示成（１０－１０）面；（１１０）面应该表示成（１１－２０）面。【００１】方向和（０００１）面垂直，【１１０】方向和（１１－２０】面垂直，但是【１００】方向和（１０－１０）面是不垂直的，与它垂直的是（1-100）面。那么分析暴露面的时候就很容易混淆。 至于其他晶相的材料，分析起来就更加困难了。一般只能通过HRTEM和电子衍射来标定。 |
9楼2011-06-29 10:58:24
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10楼2011-06-29 10:59:48
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