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纳米棒沿着[110]方向生长,为什么{110}面是优势暴露面?
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纳米棒沿着[110]方向生长,为什么{110}面是优势暴露面?如何通过TEM判断优势暴露面的占总暴露面的面积比例? 详细内容见老帖子需要求助的问题1: http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=3225362&fpage=1 |
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2楼2011-06-29 09:46:47
cenwanglai
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cenwanglai
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4楼2011-06-29 10:01:28
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5楼2011-06-29 10:19:12
cenwanglai
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6楼2011-06-29 10:26:30
【答案】应助回帖
cenwanglai(金币+5): 谢谢回复! 2011-06-29 10:33:41
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那我就简单和你讨论一下吧。 例如立方相材料,沿【100】方向生长。但是,{100}面指的是晶面族,也就是说(100),(010),(001)等晶面都属于{100}晶面族。对于{110}晶面族,那么(110)、(101)、(011)、(1-10)、(10-1)、(01-1)这六个晶面都属于这个晶面族。请注意大括号代表晶面族,小括号代表具体的晶面,中括号代表晶轴,也就是晶体方向。以上规定在结晶学领域是约定俗成的。 一般来说,优势暴露面是低指数面,也即低能面。立方相沿【100】方向生长,那么从晶体结构来看,暴露面可能是{110}或者{100},取决于相对应的表面能地大小。 同样,对于沿着[110]方向生长的立方相材料,优势暴露面可能是{110}面或者{001}面,画个简单的示意图就明白是怎么回事了。至于计算面的比例,那么结合TEM来分析也比较简单。 最主要的就是我最前面讲的,千万不要把大、中、小括号的含义弄混了。 希望以上的说明能对你有所帮助。 |
7楼2011-06-29 10:28:39
cenwanglai
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8楼2011-06-29 10:42:39
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补充两点吧(不算应助,仅供参考): 1.对于立方相{111}晶面族,比较复杂,【111】方向生长时,可能的优势暴露面往往是{111}或者{112}。对于Si和SiC体系会经常遇到类似的现象。 2.对于六方相体系的分析,更为复杂。因为晶面一般用四指数表示。例如(100)面实际应该表示成(10-10)面;(110)面应该表示成(11-20)面。【001】方向和(0001)面垂直,【110】方向和(11-20】面垂直,但是【100】方向和(10-10)面是不垂直的,与它垂直的是(1-100)面。那么分析暴露面的时候就很容易混淆。 至于其他晶相的材料,分析起来就更加困难了。一般只能通过HRTEM和电子衍射来标定。 |
9楼2011-06-29 10:58:24
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10楼2011-06-29 10:59:48













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