24小时热门版块排行榜

返回列表

当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

eyreqiao

新虫 (小有名气)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 41.8
帖子: 114
在线: 115小时
虫号: 811087

[交流] CASTEP中自旋的设置

用CASTEP计算氧原子在半导体表面的吸附，由于是吸附氧原子得考虑用自旋。
在设置中，选择自旋
那么是use formal spin？还是自己指定？
具体该如何设置，请高人指点！

回复此楼

» 猜你喜欢

» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:

Castep计算无法收敛，请高人指教已经有17人回复
castep 自旋极化问题已经有10人回复
castep计算Fe-Cr合金可以不加自旋么，有什么影响？已经有4人回复
【求助成功】请教：castep计算结果中2*Integrated Spin Density的意义？已经有10人回复
【重点讨论】Castep中的Empty Band的用处和设置？（参与讨论就有机会赢取大礼包！）已经有54人回复

» 抢金币啦！回帖就可以得到:

查看全部散金贴

1楼 2011-06-20 14:12:18

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

longwangye

银虫 (正式写手)

应助: 7 (幼儿园)
金币: 213.4
帖子: 342
在线: 84.1小时
虫号: 1171682

★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
uuv2010(金币+1): 多谢提示 2011-07-11 21:22:24

你看看文献吧文献上应该会讲到至于自旋你看看你的原子是否有价态即是否会得到或者失去电子然后你在修改 -----电子构型中修改修改formal charge 的值自旋就会改变当然就可以看到了

赞一下(2人)

回复此楼

5楼2011-07-11 17:17:55

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

查看全部 6 个回答

eyreqiao

新虫 (小有名气)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 41.8
帖子: 114
在线: 115小时
虫号: 811087

引用回帖:

Originally posted by eyreqiao at 2011-06-20 14:12:18:
用CASTEP计算氧原子在半导体表面的吸附，由于是吸附氧原子得考虑用自旋。
在设置中，选择自旋
那么是use formal spin？还是自己指定？
具体该如何设置，请高人指点！

呵呵，自己顶一下。

比如说，想用CASTEP计算氧原子在ZnO表面的吸附。这样的计算步骤是不是可行？
(1) ZnO单胞几何优化；切表面，加真空层；固定底层，几何优化；考查表面重构。
这些计算不用自旋极化。
(2) 在表面上几个高对称位置放置氧原子，几何优化。
那么，此处的表面是未优化的表面，还是用重构后的表面？
(3) 吸附计算涉及到氧原子，应该用自旋极化，那如何设置呢？
此处，是不是只有吸附的氧原子有自旋，而ZnO基底上的Zn和O没有自旋呢？
自旋如何设置？
一种是：在modify中设置吸附氧原子的formal spin为2，在计算设置时选use formal spin as initial；
另一种：直接在计算时选择initial spin为2。那么此时的自旋是不是就是整个ZnO基底外加吸附氧原子的？
这两种设置那种正确呢？

高手指点，急，万分感谢！

赞一下

回复此楼

2楼2011-06-20 18:20:26

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖