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汕头大学海洋科学接受调剂
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eyreqiao

新虫 (小有名气)


[交流] CASTEP中自旋的设置

用CASTEP计算氧原子在半导体表面的吸附,由于是吸附氧原子得考虑用自旋。
在设置中,选择自旋
那么是use formal spin?还是自己指定?
具体该如何设置,请高人指点!
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longwangye

银虫 (正式写手)


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uuv2010(金币+1): 多谢提示 2011-07-11 21:22:24
你看看文献吧 文献上应该会讲到  至于自旋 你看看你的原子是否有价态 即是否会得到或者失去电子  然后 你在 修改 -----电子构型 中修改修改formal charge 的值 自旋就会改变 当然就可以看到了
5楼2011-07-11 17:17:55
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eyreqiao

新虫 (小有名气)


引用回帖:
Originally posted by eyreqiao at 2011-06-20 14:12:18:
用CASTEP计算氧原子在半导体表面的吸附,由于是吸附氧原子得考虑用自旋。
在设置中,选择自旋
那么是use formal spin?还是自己指定?
具体该如何设置,请高人指点!

呵呵,自己顶一下。

比如说,想用CASTEP计算氧原子在ZnO表面的吸附。这样的计算步骤是不是可行?
(1) ZnO单胞几何优化;切表面,加真空层;固定底层,几何优化;考查表面重构。
这些计算不用自旋极化。
(2) 在表面上几个高对称位置放置氧原子,几何优化。
那么,此处的表面是未优化的表面,还是用重构后的表面?
(3) 吸附计算涉及到氧原子,应该用自旋极化,那如何设置呢?
此处,是不是只有吸附的氧原子有自旋,而ZnO基底上的Zn和O没有自旋呢?
自旋如何设置?
一种是:在modify中设置吸附氧原子的formal spin为2,在计算设置时选use formal spin as initial;
另一种:直接在计算时选择initial spin为2。那么此时的自旋是不是就是整个ZnO基底外加吸附氧原子的?
这两种设置那种正确呢?

高手指点,急,万分感谢!
2楼2011-06-20 18:20:26
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yoyo103108

铜虫 (小有名气)


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zzy870720z(金币+1): 鼓励交流 2011-07-06 14:11:16
uuv2010(金币+1): 多谢提示 2011-07-16 23:36:26
我觉得是在计算中设置use formal spin 而且要看氧原子的价态来定自选极化值~~
3楼2011-07-05 10:54:01
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dingfengbo

新虫 (小有名气)



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引用回帖:
Originally posted by yoyo103108 at 2011-07-05 10:54:01:
我觉得是在计算中设置use formal spin 而且要看氧原子的价态来定自选极化值~~

您好!怎样根据元素的价态来设定自旋极化值呢?比如我要计算Si,怎样设置自旋呢?谢谢
4楼2011-07-11 16:14:15
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