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CASTEP中自旋的设置
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用CASTEP计算氧原子在半导体表面的吸附,由于是吸附氧原子得考虑用自旋。 在设置中,选择自旋 那么是use formal spin?还是自己指定? 具体该如何设置,请高人指点! |
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3楼2011-07-05 10:54:01
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呵呵,自己顶一下。 比如说,想用CASTEP计算氧原子在ZnO表面的吸附。这样的计算步骤是不是可行? (1) ZnO单胞几何优化;切表面,加真空层;固定底层,几何优化;考查表面重构。 这些计算不用自旋极化。 (2) 在表面上几个高对称位置放置氧原子,几何优化。 那么,此处的表面是未优化的表面,还是用重构后的表面? (3) 吸附计算涉及到氧原子,应该用自旋极化,那如何设置呢? 此处,是不是只有吸附的氧原子有自旋,而ZnO基底上的Zn和O没有自旋呢? 自旋如何设置? 一种是:在modify中设置吸附氧原子的formal spin为2,在计算设置时选use formal spin as initial; 另一种:直接在计算时选择initial spin为2。那么此时的自旋是不是就是整个ZnO基底外加吸附氧原子的? 这两种设置那种正确呢? 高手指点,急,万分感谢! |
2楼2011-06-20 18:20:26
4楼2011-07-11 16:14:15
5楼2011-07-11 17:17:55













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