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eyreqiao

新虫 (小有名气)

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[交流] CASTEP中自旋的设置

用CASTEP计算氧原子在半导体表面的吸附，由于是吸附氧原子得考虑用自旋。
在设置中，选择自旋
那么是use formal spin？还是自己指定？
具体该如何设置，请高人指点！

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1楼 2011-06-20 14:12:18

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yoyo103108

铜虫 (小有名气)

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zzy870720z(金币+1): 鼓励交流 2011-07-06 14:11:16
uuv2010(金币+1): 多谢提示 2011-07-16 23:36:26

我觉得是在计算中设置use formal spin 而且要看氧原子的价态来定自选极化值~~

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3楼2011-07-05 10:54:01

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eyreqiao

新虫 (小有名气)

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引用回帖:

Originally posted by eyreqiao at 2011-06-20 14:12:18:
用CASTEP计算氧原子在半导体表面的吸附，由于是吸附氧原子得考虑用自旋。
在设置中，选择自旋
那么是use formal spin？还是自己指定？
具体该如何设置，请高人指点！

呵呵，自己顶一下。

比如说，想用CASTEP计算氧原子在ZnO表面的吸附。这样的计算步骤是不是可行？
(1) ZnO单胞几何优化；切表面，加真空层；固定底层，几何优化；考查表面重构。
这些计算不用自旋极化。
(2) 在表面上几个高对称位置放置氧原子，几何优化。
那么，此处的表面是未优化的表面，还是用重构后的表面？
(3) 吸附计算涉及到氧原子，应该用自旋极化，那如何设置呢？
此处，是不是只有吸附的氧原子有自旋，而ZnO基底上的Zn和O没有自旋呢？
自旋如何设置？
一种是：在modify中设置吸附氧原子的formal spin为2，在计算设置时选use formal spin as initial；
另一种：直接在计算时选择initial spin为2。那么此时的自旋是不是就是整个ZnO基底外加吸附氧原子的？
这两种设置那种正确呢？

高手指点，急，万分感谢！

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2楼2011-06-20 18:20:26

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