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CASTEP中自旋的设置
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用CASTEP计算氧原子在半导体表面的吸附，由于是吸附氧原子得考虑用自旋。 在设置中，选择自旋 那么是use formal spin？还是自己指定？ 具体该如何设置，请高人指点！ |
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呵呵，自己顶一下。 比如说，想用CASTEP计算氧原子在ZnO表面的吸附。这样的计算步骤是不是可行？ (1) ZnO单胞几何优化；切表面，加真空层；固定底层，几何优化；考查表面重构。 这些计算不用自旋极化。 (2) 在表面上几个高对称位置放置氧原子，几何优化。 那么，此处的表面是未优化的表面，还是用重构后的表面？ (3) 吸附计算涉及到氧原子，应该用自旋极化，那如何设置呢？ 此处，是不是只有吸附的氧原子有自旋，而ZnO基底上的Zn和O没有自旋呢？ 自旋如何设置？ 一种是：在modify中设置吸附氧原子的formal spin为2，在计算设置时选use formal spin as initial； 另一种：直接在计算时选择initial spin为2。那么此时的自旋是不是就是整个ZnO基底外加吸附氧原子的？ 这两种设置那种正确呢？ 高手指点，急，万分感谢！ |
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