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wprison

金虫 (正式写手)

[求助] e-beam lithography设备

最近看文献中会经常用到e-beam lithograph技术来在Si片pattern
其中会用到e-beam exposure, 请问大家这一步用什么样的设备来实现呢 用传统的SEM的电子束可以吗?

有个疑问就是如果需要e-beam exposure某些区域获得特殊的形状 那最初用SEM在扫描整体获得图像时 那样品不是已经都被e-beam照射过了吗?

谢谢大家!!!
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apolloljy

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖


yingli09(金币+1): 谢谢参与交流! 2011-06-12 16:57:01
我回答一下第二个和第三个问题吧
使用常规商用电子显微镜也可以实现电子束曝光,但是需要在原有电镜基础上添加一些组件才可以。国内外在上个世纪70年代开始就有人研究了,设备好的话现在也可以达到和商用电子束曝光系统差不多的精度。
正常说来在曝光系统中是有一个工件台的,你所要曝光的样品的位置是精确得知的,此外在样品上还需预先设置好几个标记,这几个标记上的胶就是用来牺牲的,通过这几个标记定位了之后,电子束就只在需要曝光的时候进行对样品的扫描,否则可以控制其不进行扫描,这样就不会造成对样品的破坏了。
5楼2011-06-11 16:09:40
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xjajx

至尊木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

wprison(金币+3): 谢谢交流 2011-06-06 17:27:30
e-beam只是用来制备一些pattern,然后再往上面转移样品,然后再用有机物覆盖,然后再刻饰出电极。ebeam光刻前,还需要很多步骤的,比如用东西修饰Si等步骤,工序有好多步,不是用传统的SEM来刻饰。
2楼2011-06-03 20:05:54
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terav

铜虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖


xjajx(金币+1): 2011-06-04 17:20:16
wprison(金币+5): 谢谢交流,第二个问题还是不太明白 能再详细点吗 那SEM获得图像时的整体曝光不会影响后面的pattern吗? 2011-06-06 17:29:42
引用回帖:
Originally posted by wprison at 2011-06-03 16:44:51:
最近看文献中会经常用到e-beam lithograph技术来在Si片pattern
其中会用到e-beam exposure, 请问大家这一步用什么样的设备来实现呢 用传统的SEM的电子束可以吗?

有个疑问就是如果需要e-beam exposure某些区 ...

做这个的机器一般叫ebeam writer,电子束曝光机。国内很多的大学研究所都有,你自己随便google一下就知道了。
1)你的第一个问题,可以用SEM的机器来做吗?答案是可以的,不过需要额外装第三方的软件来控制电子束。
2)你的第二个问题,就是用SEM来看的时候是不是就已经曝光了。对,SEM是电子束扫描视场里的每一行然后生成图像。但是,光刻模式并不是每一行都扫描,而是利用软件来控制哪里扫描哪里不扫描,相应的也就形成了图形。
具体的可以google一些电子束曝光的基本原理,流程看看。
3楼2011-06-04 00:49:33
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terav

铜虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖


yingli09(金币+1): 谢谢参与交流! 2011-06-12 16:56:49
这么说吧,写pattern的时候就不会整体曝光了。pattern的形状由你之前设计决定。机器根据你的设计文件把你的pattern转移到光刻胶上。

Lithography和SEM的两种方式是完全不同的模式,根本就不会在一个wafer先做这个再做那个。所以,基本上不存在先做哪个对另一个的影响。
4楼2011-06-08 01:08:42
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