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关于CASTEP修正半导体或氧化物带隙实例
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| 应用DTF+U计算半导体或氧化物带隙，计算出来的带隙更符合实验值。选取适当的U，这主要是针对3d，4f窄带进行的计算，但是其实DFT+U的方法应该主要是改善普通LDA或GGA方法把绝缘体计算成金属的情况。附件中有关于ZnO带隙修正的具体实例（从网上搜到的），适合像我这样的菜鸟来参考。顺便附上一篇文献，有助于理解 |
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