应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » LDA+U到底能够对能带的计算有多大的改善呢
41/1返回列表
查看: 3759  |  回复: 22
查看全部回帖 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看
当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

ljjhb1

银虫 (正式写手)

[交流] LDA+U到底能够对能带的计算有多大的改善呢 已有12人参与

最近比较了GGA、和GGA+U方法在计算能带结构上的计算，发现带隙宽度有所改善，但改善的不多，和实验差距还是很大，只相当于实验值的一半左右，而且不同的U值，差距也不小。大家能否谈谈对加U的看法，
回复此楼

» 收录本帖的淘帖专辑推荐

第一原理资料汇编

» 猜你喜欢

» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
1楼 2011-05-04 11:10:47
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

identation

金虫 (著名写手)
★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
贺仪(金币+5): 多谢交流 2011-05-20 10:57:29
+U方法可以通过计算的带隙和实验的带隙对比，选择适当的U，这个U参量是相当经验的参量，而且是化学环境敏感的，比如适合MnO的U值用在SrMnO3上得到的结果可能会糟糕，U值是一个相当经验的参量，而且也没有一个统一的选择U值方法，所以你计算得到的带隙和实验对不上也正常，你可以继续增加U，直到带隙吻合为止，或者拟合XPS谱图得到合适的U；另外，改善带隙也可以采用杂化泛函，只是这个计算相当费时
赞一下(2人) 回复此楼
12楼2011-05-19 21:46:27
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

identation

金虫 (著名写手)
★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
贺仪(金币+5): 很详细！ 2011-05-20 10:56:57
引用回帖:
Originally posted by hecking at 2011-05-19 16:09:19:
新手同问，请高手解答。还有，加u需要我们不断地去试，u值我觉得还是人为的规定的，那为什么不直接用剪刀算符呢？

剪刀算符把导带相对于价带向上刚性平移，可以采用，特别是在计算光学性能的时候，完全可以根据实验得到的带隙采用剪刀算符；但是，这里有一个前提，就是你计算的体系必须有带隙，这时候剪刀算符才有用；如果本来是绝缘图或者半导体，但是计算出的结果是金属，那一般就要采用+U了，因为普通的LDA或GGA算法不足以描述这种体系，这才有自旋的体系中一般很常见
赞一下(2人) 回复此楼
13楼2011-05-19 21:48:56
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

identation

金虫 (著名写手)
★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
贺仪(金币+2): 谢谢交流！ 2011-05-20 10:56:02
引用回帖:
Originally posted by ljjhb1 at 2011-05-20 09:21:34:
你好，谢谢你的帮助。我有一点疑问：以你的观点U值可以调节，直到与实验值吻合。现在我计算的是U值（2,4,6,8eV）增大，带隙也增大，但离实验值还差一半多，难道要继续增大下去吗，U值没有限制吗，谢谢

这个一般好像U值达到8eV就差不多了，你检查一下，看看是不是有其他参数出错了，一般指定U和J之后，有效的Ueff=U-J
赞一下(2人) 回复此楼
15楼2011-05-20 10:45:08
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 ljjhb1 的主题更新
41/1返回列表
普通表情 龙 兔 虎 猫 高级回复 (可上传附件)
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭