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bingmou

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★
youzhizhe(金币+2, 1ST强帖+1): 谢谢交流。 2011-04-20 18:46:09
我来说说半导体吧。
对于半导体，DOS中最简单的是可以估计能隙大小。虽然准确的大小需要通过能带结果进行查看，但是DOS的Gap也不会差距太多。
DOS越尖锐的地方说明该处的能级越局域，很可能是局域在某个原子上面的原子轨道。越宽的能带则说明非局域型很强，很有可能是共有电子。如果你看一下能带结构，就会发现在能量很低的地方都是很局域的，而在靠近费米能级的地方都是比较非局域的
同时DOS和PDOS可以看出价带顶和导带底的主要成分。例如SnO2材料中可以发现价带顶主要是O的2p轨道贡献，而导带底则主要是Sn的5s电子和O的2p轨道共同贡献。
对于PDOS还可以看出各个轨道的相互作用，如果O的p轨道和Sn的s轨道在多个能量处重合，这说明两者发生耦合。如果计算一个金刚石的PDOS，应该可以看到C的p和s在多个能量处重合，也就是所谓的sp3杂化。
LDOS主要是用于分析掺杂原子的情况。例如在SnO2中掺杂Fe原子，就可以看看Fe原子是否对DOS的自旋极化有贡献，是否所有的极化都来源于Fe原子。
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3楼2011-04-20 18:04:47
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