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韩D小希

铁虫 (正式写手)

[求助] 请求关于分波态密度的问题~

刚接触理论计算不久,期望各位大侠,帮解释一下,DOS,PDOS,LDOS,从这些图中能看出什么信息,怎么看的,如有相关文献,请帮忙推荐,感谢大家
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bingmou

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★
youzhizhe(金币+2, 1ST强帖+1): 谢谢交流。 2011-04-20 18:46:09
我来说说半导体吧。
对于半导体,DOS中最简单的是可以估计能隙大小。虽然准确的大小需要通过能带结果进行查看,但是DOS的Gap也不会差距太多。
DOS越尖锐的地方说明该处的能级越局域,很可能是局域在某个原子上面的原子轨道。越宽的能带则说明非局域型很强,很有可能是共有电子。如果你看一下能带结构,就会发现在能量很低的地方都是很局域的,而在靠近费米能级的地方都是比较非局域的
同时DOS和PDOS可以看出价带顶和导带底的主要成分。例如SnO2材料中可以发现价带顶主要是O的2p轨道贡献,而导带底则主要是Sn的5s电子和O的2p轨道共同贡献。
对于PDOS还可以看出各个轨道的相互作用,如果O的p轨道和Sn的s轨道在多个能量处重合,这说明两者发生耦合。如果计算一个金刚石的PDOS,应该可以看到C的p和s在多个能量处重合,也就是所谓的sp3杂化。
LDOS主要是用于分析掺杂原子的情况。例如在SnO2中掺杂Fe原子,就可以看看Fe原子是否对DOS的自旋极化有贡献,是否所有的极化都来源于Fe原子。
3楼2011-04-20 18:04:47
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liuhuimeiwoo

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖


bingmou(金币+1): 感谢交流! 2011-04-20 17:54:55
看导电性 如果有自旋 可以看出磁性 以后不同原子的不同轨道的贡献
paper我要好多好的的paper
2楼2011-04-20 17:22:52
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韩D小希

铁虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by bingmou at 2011-04-20 18:04:47:
我来说说半导体吧。
对于半导体,DOS中最简单的是可以估计能隙大小。虽然准确的大小需要通过能带结果进行查看,但是DOS的Gap也不会差距太多。
DOS越尖锐的地方说明该处的能级越局域,很可能是局域在某个原子上面 ...

十分感谢 ,貌似有些懵懵懂懂的了,那请问
1.是不是如果 在所有能量处都有DOS值存在,就说明是无带隙的呢,
2.所谓的LDOS 是不是选中某个原子 算它的能带图 呢?还是选中这个原子后 算它的PDOS呢
4楼2011-04-20 18:58:03
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bingmou

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

韩D小希(金币+2): 2011-04-20 19:17:25
引用回帖:
Originally posted by 韩D小希 at 2011-04-20 18:58:03:
十分感谢 ,貌似有些懵懵懂懂的了,那请问
1.是不是如果 在所有能量处都有DOS值存在,就说明是无带隙的呢,
2.所谓的LDOS 是不是选中某个原子 算它的能带图 呢?还是选中这个原子后 算它的PDOS呢

费米能级上面没有态密度才是带隙,其他都不算带隙。

LDOS应该选中一个原子之后的PDOS
5楼2011-04-20 19:03:27
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