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380677864木虫 (正式写手)
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[求助]
做等离子体物理的进
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我的实验课题是PECVD技术制备碳纳米管。在实验中，采用氢气、氮气混合气体的等离子体（射偏电源激发）刻蚀镀在硅基底上的镍薄膜，使镍薄膜裂解为纳米颗粒。以下是我不明白的几个问题，想向您求助。 1.在等离子体中主要存在的氢气、氮气的分子，还是氮氢自由基与氢离子、电子？他们哪个对刻蚀起主要作用？具体是怎么作用的啊？ 2.刻蚀过程是单纯的物理溅射还是离子增强的等离子体刻蚀？ 3.如何分析各种成分的刻蚀速率？能否套用氟刻蚀硅的模式，离子的质量与离子能量决定刻蚀速率？ |
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2楼2011-04-18 23:21:20