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415131606

铁杆木虫 (文坛精英)

黑风堂堂主-小乖猪

[交流] 【交流】关于LED工艺中ITO工艺的探讨! 已有7人参与

在LED工艺中,由于电流横向扩展和透光性的原因,一般在LED-P电极中使用ITO(一般由于掺杂粒子浓度的原因,P层的空穴浓度比N层载流子的浓度低一到两个数量级)。

做了一张传统蓝光LED的工艺图。上面绿色之内的部分即为ITO,P电极一部分在ITO上面,一部分在GaN-p上面。想和小木虫里的虫友们讨论一下关于ITO薄膜的厚度对于电流横向扩展的作用以及希望大家给我推荐一些关于这个方面的文献和资料!

[ Last edited by 415131606 on 2011-4-14 at 22:07 ]
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鹰羽龙

木虫 (著名写手)


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引用回帖:
Originally posted by 415131606 at 2011-04-14 22:06:08:
在LED工艺中,由于电流横向扩展和透光性的原因,一般在LED-P电极中使用ITO(一般由于掺杂粒子浓度的原因,P层的空穴浓度比N层载流子的浓度低一到两个数量级)。

...

有意思,不知道LZ说的横向扩展是指载流子由电极扩散向PN界面还是说载流子在电极/半导体界面方向的扩散?
7楼2011-04-18 18:36:41
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