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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 无机非金属 » 交流探讨 » 【求助】InAs选择p型掺杂和n型掺杂的用途
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quanguoc110

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】InAs选择p型掺杂和n型掺杂的用途

InAs的电子迁移速率非常快，是10的5次方左右。而空穴的迁移率只有10的2次方左右。那么选取p型掺杂的优点是什么呢，肯定不是迁移率的原因，有什么特殊的用途吗。希望虫友们能提示一下。
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1楼 2011-04-07 10:48:23
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bytianping

金虫 (正式写手)
★
quanguoc110(金币+1):谢谢参与
quanguoc110(金币+2): 谢谢你的回答。我想研究一下p型InAs纳米线，查看相关的文献，也没说p型掺杂的优势所在。很迷惑。 2011-04-07 20:29:49
InAs是可替代Si的一种极具潜力的材料。而要制作半导体器件，pn结是一个非常重要的基础。p型掺杂可能不是为了提高某性能，而是为了获得良好的同质pn结。
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2楼2011-04-07 12:00:12
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