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【求助】如何证明掺杂离子进入晶格
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ask_03
金虫
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虫号: 1042782
[交流]
【求助】如何证明掺杂离子进入晶格
我现在做一个稀土元素掺杂LiFePO4材料,制备材料的XRD峰位随掺杂量的提高,存在一致的左移现象,怎么样才能证明掺杂的稀土元素离子进入了LiFePO4晶格内部。
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2011-04-07 09:59:44
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shotn
木虫
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虫号: 706284
ask_03(金币+1): 这些都不能直接证明啊 只能说明掺杂引起了变化啊 2011-04-07 14:39:30
我觉得主要就是看XRD吧,看是否有杂相,图谱整体左移说明晶格尺寸发生变化了。
然后就是看高倍率性能有没有明显提高。
再有CV曲线等。
我想就是这么多吧。
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4楼
2011-04-07 13:51:25
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lovetiger6007
金虫
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虫号: 598192
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3楼
2011-04-07 13:32:51
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shanwave
禁虫
(初入文坛)
ask_03(金币+1): EPR是什么技术啊? 如果有稀土元素未掺杂进入,那又怎么区分进入的和未进入的呢? 2011-04-07 15:44:57
本帖内容被屏蔽
6楼
2011-04-07 15:16:57
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bubble9769
木虫
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虫号: 627454
ask_03(金币+1): 谢谢,离子半径大的元素掺杂,是否必然引起晶胞参数的改变呢? 我发现不同温度下烧结的材料的晶胞参数会有变化,因此不知道是否能说同等条件下晶胞参数的变化就是有掺杂引起的?但是材料的掺杂的确是掺杂越多,晶胞参数越大 2011-04-07 15:54:45
一个离子半径大的元素掺到原先的晶胞中,一定程度上会影响原来的晶胞大小,晶胞参数变大。随着你掺入的越多,变化也越明显
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7楼
2011-04-07 15:45:24
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