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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 化学电源 » 【求助】如何证明掺杂离子进入晶格
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ask_03

金虫 (小有名气)

[交流] 【求助】如何证明掺杂离子进入晶格

我现在做一个稀土元素掺杂LiFePO4材料，制备材料的XRD峰位随掺杂量的提高，存在一致的左移现象，怎么样才能证明掺杂的稀土元素离子进入了LiFePO4晶格内部。
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1楼 2011-04-07 09:59:44
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shanwave

禁虫 (初入文坛)
ask_03(金币+1): EPR是什么技术啊？ 如果有稀土元素未掺杂进入，那又怎么区分进入的和未进入的呢？ 2011-04-07 15:44:57
本帖内容被屏蔽
6楼2011-04-07 15:16:57
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lovetiger6007

金虫 (正式写手)
迷惑ing  期待高人出现
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3楼2011-04-07 13:32:51
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shotn

木虫 (小有名气)
ask_03(金币+1): 这些都不能直接证明啊 只能说明掺杂引起了变化啊 2011-04-07 14:39:30
我觉得主要就是看XRD吧，看是否有杂相，图谱整体左移说明晶格尺寸发生变化了。
然后就是看高倍率性能有没有明显提高。
再有CV曲线等。
我想就是这么多吧。
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4楼2011-04-07 13:51:25
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bubble9769

木虫 (小有名气)
ask_03(金币+1): 谢谢，离子半径大的元素掺杂，是否必然引起晶胞参数的改变呢？ 我发现不同温度下烧结的材料的晶胞参数会有变化，因此不知道是否能说同等条件下晶胞参数的变化就是有掺杂引起的？但是材料的掺杂的确是掺杂越多，晶胞参数越大 2011-04-07 15:54:45
一个离子半径大的元素掺到原先的晶胞中，一定程度上会影响原来的晶胞大小，晶胞参数变大。随着你掺入的越多，变化也越明显
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7楼2011-04-07 15:45:24
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