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【交流】层错能与扩展位错宽度的关系?一直理解不了
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| 层错能低,扩展位错越宽,理解不了啊 |
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2楼2011-04-01 17:52:57
3楼2011-04-01 18:49:32
comma
专家顾问 (知名作家)
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专家经验: +552 - MM-EPI: 36
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jic8417(金币+1): 收益。 2011-04-15 17:54:58
飞天5021(金币+1): 2011-04-18 08:31:05
jic8417(金币+1): 收益。 2011-04-15 17:54:58
飞天5021(金币+1): 2011-04-18 08:31:05
| 首先要明确层错及层错能的概念:因为层错使晶面产生错排,所以会使能量增加,单位面积层错所增加的能量称为层错能。层错能的主要贡献来自次近邻原子面堆垛顺序的改变。也就是说,层错能反映晶面错排所需的能量,层错能越小,堆垛错排的机会就更大。而且层错是面缺陷,其边界为部分/扩展位错,既然是位错必然有相互作用力。所以,由于两个部分位错间有层错存在,在层错能的作用下力求使两个部分位错复合,层错能越高,扩展位错的平衡宽度越窄;对于低层错能扩展位错平衡宽度会比高层错能的宽。反之,层错能低,扩展位错的束集能力弱。当然,还有具体的推导公式,如2楼提到的分析。 |
4楼2011-04-02 10:42:51
5楼2011-04-15 10:38:33
6楼2011-04-15 10:41:20
7楼2011-04-15 17:13:19
9楼2011-04-22 11:59:22
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seyou8楼
2011-04-22 09:31
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