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[交流]
【交流】层错能与扩展位错宽度的关系？一直理解不了
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| 层错能低，扩展位错越宽，理解不了啊 |
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9楼2011-04-22 11:59:22
2楼2011-04-01 17:52:57
3楼2011-04-01 18:49:32
comma
专家顾问 (知名作家)
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jic8417(金币+1): 收益。 2011-04-15 17:54:58
飞天5021(金币+1): 2011-04-18 08:31:05
jic8417(金币+1): 收益。 2011-04-15 17:54:58
飞天5021(金币+1): 2011-04-18 08:31:05
| 首先要明确层错及层错能的概念：因为层错使晶面产生错排，所以会使能量增加，单位面积层错所增加的能量称为层错能。层错能的主要贡献来自次近邻原子面堆垛顺序的改变。也就是说，层错能反映晶面错排所需的能量，层错能越小，堆垛错排的机会就更大。而且层错是面缺陷，其边界为部分/扩展位错，既然是位错必然有相互作用力。所以，由于两个部分位错间有层错存在，在层错能的作用下力求使两个部分位错复合，层错能越高，扩展位错的平衡宽度越窄；对于低层错能扩展位错平衡宽度会比高层错能的宽。反之，层错能低，扩展位错的束集能力弱。当然，还有具体的推导公式，如2楼提到的分析。 |
4楼2011-04-02 10:42:51
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seyou8楼
2011-04-22 09:31
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