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关于位错的排列和远动机理问题，欢迎大家讨论指点。
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已知双晶取向角度分别为20度和12度，晶界取向差为8度,即两相邻晶粒形成由不连续的位错点构成的小角度晶界（见附图1(a)）。 该双晶受到单轴（x轴）均匀拉伸变形，则晶界处位错的运动情况见 图1(b)-(d)。 问题： 图1(b)、(c)、(d)中位错很有规律的排了三列倾斜线（具体见图1 (c)中的红色斜线），如何解释位错的分布情况以及位错运动规律？最好可以解释得比较专业。非常感谢！ 希望大家讨论、指点！谢谢！  [ Last edited by 八角寨 on 2011-5-25 at 08:30 ] |
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 位错，晶界 |
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2楼2011-05-25 18:13:08
comma
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3楼2011-05-25 23:37:19
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4楼2011-05-25 23:41:57
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imrsfb(金币+1): 谢谢交流！ 2011-05-31 08:24:08
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非常感谢您的再次相助。 一一回答您上面的提问： 问题1： 晶体结构为 fcc 问题1-3 具体见附图2。 问题4 位错为刃位错。对于这种三角结构排列的原子，具体的位错柏氏矢量 我也没能画出来。 我曾就此问题发过贴：http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=2958068 问题5 晶界为对称倾转晶界 再次感谢你的帮忙！  |
5楼2011-05-26 09:16:15
6楼2011-05-26 09:22:21
fuqj1987
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7楼2011-05-28 09:20:53
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【答案】应助回帖
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八角寨(金币+30): 感谢您耐心解答和提示！我会去借你您推荐的书籍看的。非常感谢！ 2011-05-28 22:50:22
imrsfb(金币+3, MM-EPI+1): 谢谢专家的详细解答！ 2011-05-31 08:23:55
八角寨(金币+36): 再次感谢您的帮忙！！ 2011-06-01 08:32:34
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抱歉近日出差任务，没有及时回复。 我琢磨了一下你的问题，还没有搞清楚20°和12°是如何得到的。不过倒也不影响讨论。 至于我问你的几个问题也不是讨论的主要方面，因为你在做模拟时应该已经明确了位错类型以及各个位错受力状态。 每个位错所能运动的轨迹源于它受到的应力状态，即必须有分切应力附加在该位错滑移面上，而且位错必然是在自己的滑移面上运动，若刃型位错的半原子面正好平行受力方向，那这根位错就不会动，若半原子面垂直受力方向，只能发生攀移，但是要考察攀移力大小能否够攀移能量，位错攀移所需外力和切变模量G同一数量级，即与理论切变强度相当，因而单靠外力攀移是不可行的，其速度受制于热激活的点缺陷。 至于你画出来的几个有规则的连线，应该就是位错各自滑移轨迹达到的位置，若没有考虑攀移过程，位错运动后的位置都在自己原来的滑移面上。从三幅图的过程来看，你的结果似乎没有考虑晶体取向转动？若考虑晶体取向转动应该还有不一样的表现。因为不易从图中看出位错类型，实在不好判断如何滑移，点格小啊，眼睛都看花了。这方面知识，建议参阅余永宁版《材料科学基础》p442~443。. |
8楼2011-05-28 21:55:45
9楼2011-05-28 22:28:20
