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专家顾问 (知名作家)

材料人

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专业: 金属材料的微观结构
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【答案】应助回帖

★ ★ ★
八角寨(金币+30): 感谢您耐心解答和提示！我会去借你您推荐的书籍看的。非常感谢！ 2011-05-28 22:50:22
imrsfb(金币+3, MM-EPI+1): 谢谢专家的详细解答！ 2011-05-31 08:23:55
八角寨(金币+36): 再次感谢您的帮忙！！ 2011-06-01 08:32:34

引用回帖:

Originally posted by 八角寨 at 2011-05-26 09:16:15:
非常感谢您的再次相助。

一一回答您上面的提问：

问题1：晶体结构为 fcc
问题1-3 具体见附图2。

问题4 位错 ...

抱歉近日出差任务，没有及时回复。

我琢磨了一下你的问题，还没有搞清楚20°和12°是如何得到的。不过倒也不影响讨论。

至于我问你的几个问题也不是讨论的主要方面，因为你在做模拟时应该已经明确了位错类型以及各个位错受力状态。

每个位错所能运动的轨迹源于它受到的应力状态，即必须有分切应力附加在该位错滑移面上，而且位错必然是在自己的滑移面上运动，若刃型位错的半原子面正好平行受力方向，那这根位错就不会动，若半原子面垂直受力方向，只能发生攀移，但是要考察攀移力大小能否够攀移能量，位错攀移所需外力和切变模量G同一数量级，即与理论切变强度相当，因而单靠外力攀移是不可行的，其速度受制于热激活的点缺陷。

至于你画出来的几个有规则的连线，应该就是位错各自滑移轨迹达到的位置，若没有考虑攀移过程，位错运动后的位置都在自己原来的滑移面上。从三幅图的过程来看，你的结果似乎没有考虑晶体取向转动？若考虑晶体取向转动应该还有不一样的表现。因为不易从图中看出位错类型，实在不好判断如何滑移，点格小啊，眼睛都看花了。这方面知识，建议参阅余永宁版《材料科学基础》p442~443。.