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sunyang1988

至尊木虫 (著名写手)

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zzy870720z(金币+1): 谢谢参与讨论 2011-03-30 16:46:37
引用回帖:
Originally posted by guolianshun at 2011-03-30 15:29:54:
你用什么算的?掺杂没有?

用过MS,没有算过掺杂的。半导体费米能级应该在带隙之间,castep给出的在价带顶
心之所向无惧无悔
21楼2011-03-30 15:37:16
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limin2007

铁杆木虫 (著名写手)

引用回帖:
Originally posted by stractor at 2011-03-30 15:30:16:
这个我清楚,实际制造出来的半导体是有缺陷的。但这里你并没回答楼主的问题。理论上可以计算perfect的半导体。楼主的TiO2之图是计算得出出来的,既然是计算出来的话,这就是perfect,而不是有缺陷存在的DOS。 ...

谢谢,我理解您说的意思了。
不过我想要是掺杂浓度比较高时,价带附近出现杂化,Ms 计算能带的时候不直接给出带隙的数值了,我把数据导出以后,我不知道确定带隙的时候,价带顶的数值是取那个能级?是取无缺陷时候相对应的价带顶的那个能级,还是取掺杂后引起的那个能级?(掺杂后杂质能级高于无缺陷时价带顶的能级,导带底的能级没有变化)
看来几篇掺杂计算带隙的文献,不同的人计算带隙的方法不一样。
22楼2011-03-30 17:07:56
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fengshiquan

铁杆木虫 (正式写手)

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gzqdyouxia(金币+1): 鼓励交流 2011-04-01 17:23:48
引用回帖:
Originally posted by jghe at 2011-03-28 04:02:28:
1。掺杂后的跟掺杂前的其实已经没有可比性了,价带位置当然要看费米能级了。CASTEP默认价带顶就是费米能级
2。带隙还是要看能带的,态密度有展宽,不是很准确

CASTEP默认价带顶就是费米能级,是不是说计算的价带顶就是0eV,我算了个半导体费米能确实在价带顶,但是为什么DOS图中Ef=0处对应的DOS值不为零,这不和能带图矛盾了吗
23楼2011-04-01 12:06:41
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ioribest

银虫 (小有名气)

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zzy870720z(金币+2): 鼓励讨论 2011-04-01 16:25:55
20楼的说法都是对的,完全同意。
但是明显跟楼主做的不是一个体系,半导体的掺杂来自于化合价不同的原子的掺入,导致了杂质能级的形成。
但是这个掺杂并没有出现多余的电子或者空穴,只是带来了晶格的畸变和对称性的变化,个人认为没有太多共同点。
24楼2011-04-01 13:42:03
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gsln

铜虫 (初入文坛)

学习了
25楼2012-04-19 13:19:40
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707462558

银虫 (著名写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
4098楼: Originally posted by limin2007 at 2011-03-27 18:55:39
谢谢你的回复。
对于第二个问题,掺杂浓度比较低的情况,如何确定价带顶和导带底的位置?
是使用未掺杂时候的价带顶的位置来确定带隙还是掺杂后出现的价带顶的能级来确定带隙?...

难道不是各自看各自的吗 未掺杂看出来是未掺杂 的帯隙  掺杂看出来是掺杂后的帯隙  不是吗
无论生活和你开了多大的玩笑我们都得继续生活
26楼2012-11-28 22:34:52
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lzn_t

木虫 (小有名气)

引用回帖:
169855楼: Originally posted by fengshiquan at 2011-04-01 12:06:41
CASTEP默认价带顶就是费米能级,是不是说计算的价带顶就是0eV,我算了个半导体费米能确实在价带顶,但是为什么DOS图中Ef=0处对应的DOS值不为零,这不和能带图矛盾了吗...

同问!
27楼2013-01-23 09:45:45
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我是砖头

银虫 (小有名气)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
能问一下,你是怎么掺杂的?新手
28楼2015-04-28 17:50:20
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么么么哒165

禁虫 (小有名气)

本帖内容被屏蔽

29楼2016-04-13 17:14:55
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