Originally posted by limin2007 at 2011-03-27 15:09:10:
有两个问题请教大家：
1.掺杂后，能带怎么确定？比如文献上说掺杂后带隙减小的情况，导带底和价带顶的位置如何确定呢？掺杂后价带顶位置有些杂化，我不知道该怎么确定价带顶的位置了。
2.在态密度图形里面如何看 ...

Originally posted by zhanglx8632 at 2011-03-30 10:27:03:
呵呵 一块讨论一下，其实对于带隙我也一直在探索，能带和态密度图之间到底是个啥关系，有时候看态密度图明明每个能量值都有电子可是作者却说带隙是多少多少这样子，我就想带隙的计算是不是看能带数据计算出来的 ...

Originally posted by limin2007 at 2011-03-27 15:09:10:
有两个问题请教大家：
1.掺杂后，能带怎么确定？比如文献上说掺杂后带隙减小的情况，导带底和价带顶的位置如何确定呢？掺杂后价带顶位置有些杂化，我不知道该怎么确定价带顶的位置了。
2.在态密度图形里面如何看 ...

Originally posted by jghe at 2011-03-28 04:02:28:
1。掺杂后的跟掺杂前的其实已经没有可比性了，价带位置当然要看费米能级了。CASTEP默认价带顶就是费米能级
2。带隙还是要看能带的，态密度有展宽，不是很准确

Originally posted by stractor at 2011-03-27 18:46:25:
建议不要看中文的文献，因为中国的刊不严谨，错误多。从图中看不出什么信息，感觉这篇文章的作者犯了错误。单看TiO2的DOS，它没掺杂，VBM和CBM处的DOS应接近于0。然而，图中的带隙的下限位置处DOS却很大。
如果掺 ...

Originally posted by guolianshun at 2011-03-30 11:16:47:
后面的专家给出的方案和结论，貌似很不合理。主要有2点：
1：先谈中文文献，中文文献主要是根据掺杂前后带隙变化展开讨论。而带隙的谈论主要是根据能带图来讨论。计算后直接导出，然后orig ...

Originally posted by limin2007 at 2011-03-30 12:11:27:
谢谢你这么认真的回复。
我再请教一下，对于理想的半导体计算出来后通过能带图形可以看出带隙，但是对于有缺陷的半导体，比如我N型掺杂后，主要是价带顶的附近出现了受主能级，我不知道带隙怎么确定？是以理想 ...

Originally posted by guolianshun at 2011-03-30 11:22:49:
其实呢，你认为的是本征半导体，是一种很理想的状态，在自然界中基本不存在，半导体一般都有缺陷，反言之，缺陷的形成就是掺杂的一种，所以会有飘移，计算出来的都是这样的，可以问问做材料的老师吧。呵呵，不好 ...

Originally posted by sunyang1988 at 2011-03-30 15:27:46:
程序得出的费米能级是价带顶，不是半导体中定义的费米能级

Originally posted by guolianshun at 2011-03-30 11:22:49:
其实呢，你认为的是本征半导体，是一种很理想的状态，在自然界中基本不存在，半导体一般都有缺陷，反言之，缺陷的形成就是掺杂的一种，所以会有飘移，计算出来的都是这样的，可以问问做材料的老师吧。呵呵，不好 ...