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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 【求助】掺杂后带隙的问题
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limin2007

铁杆木虫 (著名写手)

[交流] 【求助】掺杂后带隙的问题 已有16人参与

有两个问题请教大家：
1.掺杂后，能带怎么确定？比如文献上说掺杂后带隙减小的情况，导带底和价带顶的位置如何确定呢？掺杂后价带顶位置有些杂化，我不知道该怎么确定价带顶的位置了。
2.在态密度图形里面如何看带隙，我今天在一篇文献上看到带隙是这么标注的，不明白为什么会是这样？我贴上图形大家帮我分析一下好吗？谢谢了。
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1楼 2011-03-27 15:09:10
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limin2007

铁杆木虫 (著名写手)
引用回帖:
Originally posted by stractor at 2011-03-30 15:30:16:
这个我清楚，实际制造出来的半导体是有缺陷的。但这里你并没回答楼主的问题。理论上可以计算perfect的半导体。楼主的TiO2之图是计算得出出来的，既然是计算出来的话，这就是perfect，而不是有缺陷存在的DOS。 ...

谢谢，我理解您说的意思了。
不过我想要是掺杂浓度比较高时，价带附近出现杂化，Ms 计算能带的时候不直接给出带隙的数值了，我把数据导出以后，我不知道确定带隙的时候，价带顶的数值是取那个能级？是取无缺陷时候相对应的价带顶的那个能级，还是取掺杂后引起的那个能级？（掺杂后杂质能级高于无缺陷时价带顶的能级，导带底的能级没有变化）
看来几篇掺杂计算带隙的文献，不同的人计算带隙的方法不一样。
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22楼2011-03-30 17:07:56
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stractor

金虫 (著名写手)
★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
mazuju028(金币+2): 谢谢交流 2011-03-27 22:49:45
建议不要看中文的文献，因为中国的刊不严谨，错误多。从图中看不出什么信息，感觉这篇文章的作者犯了错误。单看TiO2的DOS，它没掺杂，VBM和CBM处的DOS应接近于0。然而，图中的带隙的下限位置处DOS却很大。
如果掺杂浓度很低的话，你可以进行能带计算，一下子就知道带隙了。

[ Last edited by stractor on 2011-3-27 at 18:50 ]
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2楼2011-03-27 18:46:25
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limin2007

铁杆木虫 (著名写手)
引用回帖:
Originally posted by stractor at 2011-03-27 18:46:25:
建议不要看中文的文献，因为中国的刊不严谨，错误多。从图中看不出什么信息，感觉这篇文章的作者犯了错误。单看TiO2的DOS，它没掺杂，VBM和CBM处的DOS应接近于0。然而，图中的带隙的下限位置处DOS却很大。
如果掺 ...

谢谢你的回复。
对于第二个问题，掺杂浓度比较低的情况，如何确定价带顶和导带底的位置？
是使用未掺杂时候的价带顶的位置来确定带隙还是掺杂后出现的价带顶的能级来确定带隙？
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3楼2011-03-27 18:55:39
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jghe

金虫 (著名写手)
★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
mazuju028(金币+2): 谢谢交流 2011-03-28 20:00:41
1。掺杂后的跟掺杂前的其实已经没有可比性了，价带位置当然要看费米能级了。CASTEP默认价带顶就是费米能级
2。带隙还是要看能带的，态密度有展宽，不是很准确
赞一下(3人) 回复此楼
4楼2011-03-28 04:02:28
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