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月下冰魂

木虫 (正式写手)

[交流] 应变锗与弛豫锗 已有2人参与

在调研GOI(绝缘体上锗)制备中,发现了两种锗:应变锗与弛豫锗。对于MOS器件等的应用,哪个更好呢??文献中有提到应变锗好些,但是为什么还是有人把应变弛豫掉呢?
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奋斗。。。
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月下冰魂

木虫 (正式写手)

既然应变锗相比弛豫锗载流子迁移率更高,为什么还要做弛豫的锗呢?还有,应变锗和应变硅,哪个的载流子迁移率更好呢??  我是上海微系统的。
奋斗。。。
3楼2011-03-28 08:02:36
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hehe1215

金虫 (小有名气)

★ ★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
scf19860926(金币+3): 谢谢前来交流~ 2011-03-27 09:43:04
应变Ge对载流子的迁移率提高有影响,貌似压应变对空穴的迁移率提高较大,有利于制备pMOS,Ge材料的nMOS还很难制备,最近两年的IEDM有相关报道,但是Ge的nMOS漏电流太大,还有n型Ge的掺杂也是个问题。
不知楼主是哪个单位的?可否透露
2楼2011-03-27 06:50:47
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