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木虫 (正式写手)

[交流] 应变锗与弛豫锗已有2人参与

在调研GOI（绝缘体上锗）制备中，发现了两种锗：应变锗与弛豫锗。对于MOS器件等的应用，哪个更好呢？？文献中有提到应变锗好些，但是为什么还是有人把应变弛豫掉呢？

奋斗。。。

1楼 2011-03-24 08:03:08

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金虫 (小有名气)

★ ★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
scf19860926(金币+3): 谢谢前来交流~ 2011-03-27 09:43:04

应变Ge对载流子的迁移率提高有影响，貌似压应变对空穴的迁移率提高较大，有利于制备pMOS，Ge材料的nMOS还很难制备，最近两年的IEDM有相关报道，但是Ge的nMOS漏电流太大，还有n型Ge的掺杂也是个问题。
不知楼主是哪个单位的？可否透露

2楼2011-03-27 06:50:47

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木虫 (正式写手)

既然应变锗相比弛豫锗载流子迁移率更高，为什么还要做弛豫的锗呢？还有，应变锗和应变硅，哪个的载流子迁移率更好呢？？我是上海微系统的。

奋斗。。。

3楼2011-03-28 08:02:36

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