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xdkevin

金虫 (职业作家)

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[交流] 求SCI检索记录

https://apl.aip.org/resource/1/applab/v95/i16/p161904_s1

Q. Wang, Y. P. Gong, J. F. Zhang, J. Bai, F. Ranalli, and T. Wang，Stimulated emission at 340 nm from AlGaN multiple quantum well grown using high temperature AlN buffer technologies on sapphire, Applied Physics Letters, October 2009, 95:161904

求上文的SCI检索记录
在线等，谢谢！

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1楼 2011-03-04 11:53:30

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ylhttzj

至尊木虫 (知名作家)

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xdkevin(金币+1, 博学EPI+1): 谢谢！ 2011-03-05 15:47:31

标题: Stimulated emission at 340 nm from AlGaN multiple quantum well grown using high temperature AlN buffer technologies on sapphire
作者: Wang, Q; Gong, YP; Zhang, JF, et al.
来源出版物: APPLIED PHYSICS LETTERS 卷: 95 期: 16 文献编号: 161904 出版年: 2009
被引频次: 1
下文就是引用APPLIED PHYSICS LETTERS的论文。
标题: The investigation of the visible photoluminescence in AlN films deposited by sputtering
作者: Chen D, Li W, Yan X, et al.来源出版物: OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS-RAPID COMMUNICATIONS 卷: 4 期: 7 页: 960-964 出版年: JUL 2010

来源ISI Web of Knowledge

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