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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Abinit » 【讨论】abint计算ZnO带隙差的太大
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frank_zhan

金虫 (正式写手)

[交流] 【讨论】abint计算ZnO带隙差的太大 已有12人参与

我用Abinit计算ZnO的带隙差的太大。计算的带隙才1.1左右。实验值应该是在3.3ev。看样子DFT确实不适合计算半导体的带隙。

[ Last edited by zzy870720z on 2011-1-24 at 20:16 ]
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frank_zhan,zy2zhan@gmail.com
1楼 2011-01-24 16:52:46
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frank_zhan

金虫 (正式写手)
★
zzy870720z(金币+1): 谢谢分享，呵呵，看起来DFT做ZnO还是不好 2011-01-25 08:58:32
引用回帖:
Originally posted by zzy870720z at 2011-01-24 21:02:27:
DFT低估带隙是一个老问题了
ZnO是一个DFT计算带隙不准确的一个典型范例
正如楼上所说的，如果你用标准DFT计算准确了才是有问题
不是所用GW方法计算能够相对准确些，可以试试

GW已经试过了，选用Hatree-Fock计算得到的带隙达到5.4eV，不选用HF的GW修正的结果变化不大。
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frank_zhan,zy2zhan@gmail.com
8楼2011-01-24 22:55:12
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sunyang1988

至尊木虫 (著名写手)
★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
zzy870720z(金币+1): 鼓励交流，应该没有问题，DFT低估带隙是一个老问题了，ZnO是一个DFT计算带隙的一个典型范例，计算很不准确 2011-01-24 20:58:32
ZnO应该有很多人算过了，查下别人的计算结果，看自己的计算是不是有问题
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心之所向无惧无悔
2楼2011-01-24 17:13:42
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frank_zhan

金虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by sunyang1988 at 2011-01-24 17:13:42:
ZnO应该有很多人算过了，查下别人的计算结果，看自己的计算是不是有问题

采用DFT的计算的结果好像没有非常好的。
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frank_zhan,zy2zhan@gmail.com
3楼2011-01-24 17:29:45
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sunyang1988

至尊木虫 (著名写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
这样啊，不过这个差距有点大了
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心之所向无惧无悔
4楼2011-01-24 17:33:20
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