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【求助】一个没想清楚的问题—纳米粒子和量子点的区别
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我不太明白，纳米粒子和量子点的区别是什么？ 如果仅仅是尺度问题，那么，用电子束刻蚀一层薄的半导体，由于电子束刻蚀已经达到2nm精度，那么理论上可以得到想要的任意形状量子点及排列。而我看的资料却说人工制备半导体量子点还是一件困难的事，如MBE生长量子点需要考虑晶格匹配的问题。所以，是否量子点还要有好的晶体周期排列。而纳米粒子仅仅对尺度有要求，对原子排列无要求，只要能结合在一起就行？ 有虫友专家能帮我解开这个问题吗？ |
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小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
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裸露InAs量子点的光谱测试其实有很多人研究过。（InAs量子点也没什么没研究过的了，呵呵）例如：http://apl.aip.org/resource/1/applab/v73/i19/p2742_s1 你是哪个组的？ |
14楼2011-08-26 10:08:04
2楼2011-01-17 16:00:28
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cefele(金币+1):谢谢参与
cefele(金币+2): 讲的 很 清楚,谢謝. 2011-07-19 18:45:35
lpszk(金币+3): 很好 2011-08-20 07:27:25
cefele(金币+1):谢谢参与
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lpszk(金币+3): 很好 2011-08-20 07:27:25
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纳米粒子仅仅是粒子体积大小上在纳米级。 而量子点除了体积是纳米级别外，关键是体现“量子”效应，以MBE生长GaAs/InAs/GaAs量子点为例，InAs的能带是小于GaAs的，这样电子就被限制在这样一个零维空间里（量子阱是两维无限深势井的），就是所谓的“人工原子”。也就是说，做半导体量子点结构的关键是要用宽禁带的半导体材料完美的包裹住窄禁带的量子点。 单单利用刻蚀是无法形成量子点结构的。用MBE生长量子点时，一般会在最后表面上再生长一层量子点，这一层仅仅是用AFM来观察一下形貌。想得到量子点的PL还必须是中间被宽禁带材料夹着的那些量子点。 S-K模式长出的量子点是随机的，MBE做量子点难点其实是无法控制量子点的密度和大小，不是长出量子点本身。 |
3楼2011-07-19 16:50:29
5楼2011-08-19 12:37:11
