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【求助】OFET漏电流很大是什么原因造成的?
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styrenes
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虫号: 489821
[交流]
【求助】OFET漏电流很大是什么原因造成的?
在Si\SiO2(300nm)表面做了一个OFET,底电极。
发现:
1、固定DrainV电压,测DrainI-GateV曲线时,没有漏电流。
2、固定GateV电压,测DrainI-DrainV曲线时,漏电就很大什么原因?
谢谢!
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2011-01-08 18:43:01
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引用回帖:
96973楼
:
Originally posted by
styrenes
at 2011-01-08 18:43:01
在Si\SiO2(300nm)表面做了一个OFET,底电极。
发现:
1、固定DrainV电压,测DrainI-GateV曲线时,没有漏电流。
2、固定GateV电压,测DrainI-DrainV曲线时,漏电就很大什么原因?
谢谢!
请问楼主你的问题解决了吗?我现在也遇到这种问题,可以请教下原因吗?谢谢您
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2楼
2013-01-17 17:14:32
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