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styrenes

铁杆木虫 (著名写手)

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[交流] 【求助】OFET漏电流很大是什么原因造成的？

在Si\SiO2（300nm）表面做了一个OFET，底电极。

发现：

1、固定DrainV电压，测DrainI-GateV曲线时，没有漏电流。

2、固定GateV电压，测DrainI-DrainV曲线时，漏电就很大什么原因？

谢谢!

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1楼 2011-01-08 18:43:01

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qingqiu

银虫 (小有名气)

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引用回帖:

96973楼: Originally posted by styrenes at 2011-01-08 18:43:01
在Si\SiO2（300nm）表面做了一个OFET，底电极。

发现：

1、固定DrainV电压，测DrainI-GateV曲线时，没有漏电流。

2、固定GateV电压，测DrainI-DrainV曲线时，漏电就很大什么原因？

谢谢!

请问楼主你的问题解决了吗？我现在也遇到这种问题，可以请教下原因吗？谢谢您

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