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【求助】关于β-SiC问题
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popsking
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[交流]
【求助】关于β-SiC问题
β-SiC最低在什么温度下就可以生成,在pdf卡片上,像75- 254;65-360;73-1665都是β-SiC立方晶型啊,它们有什么区别,如何去选择判断?
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2010-12-15 15:55:39
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googo3300
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):谢谢参与
popsking(金币+5):谢谢你的回答,虽然没有回答全我的问题 2010-12-17 12:45:15
用先驱体发大概在1000度,CVD法大概在1200度。β-SiC在XRD PDF卡片上有三个明显的衍射峰,对应的2塞塔角为35度,中间这个好像是45度(记不清了),71度
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4楼
2010-12-16 00:05:19
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dcl163
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):谢谢参与
csuhcb2000(金币+1):欢迎交流 2010-12-15 17:25:09
应该是在1600度以上才会形成α碳化硅
你查的这几种应该是晶型不一样吧
比如 4H-SiC在2000℃左右生成;15R—SiC需在2100℃以上的高温生成
[li]
popsking
: 我的意思是说β-SiC的最低生成温度大概在 ... [
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][/li]
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2010-12-15 17:16:36
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popsking
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我的意思是说β-SiC的最低生成温度大概在什么温度,上面可能卡片号写错了,β-SiC晶型有好多卡片的,比如73--1665,73--1780,75--245 !这些该如何选择?
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3楼
2010-12-15 17:55:46
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zx529
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popsking(金币
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):谢谢参与
用precursor的话,1000℃会有β-SiC生成。
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8楼
2010-12-20 13:28:41
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