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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 无机非金属 » 前沿热点 » 【求助】关于SiC-Al2O3烧结的问题
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liuning726

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】关于SiC-Al2O3烧结的问题 已有3人参与

我是刚开始烧SiC-Al2O3陶瓷，导师叫我先按SiC：Al2O3=7:3配料在1750度烧1个小时（原料都是微米级的，SiC原料里面有少量单质Si），但是烧结并不好，接着又叫我按6:4，1:1，4:6配料烧，随着Al2O3的比例提高烧结越来越好，显气孔率明显下降，我不明白这是为什么，还有他让我这么做有什么根据没？请教各位，谢谢了！
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1楼 2010-07-01 19:31:45
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zg282

木虫 (小有名气)

Dr
★
化学小工(金币+1):鼓励交流 2010-07-01 20:39:23
只是因为Al2O3陶瓷本身的致密化烧结温度就在1700~1800度
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2楼2010-07-01 19:42:07
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jlccer

木虫 (正式写手)
★
化学小工(金币+1):鼓励交流 2010-07-01 20:39:34
还要考虑，烧结过程中氧化铝与SiC表面的SiO2形成玻璃液相，有助于烧结。
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3楼2010-07-01 20:28:45
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xerxes1986

银虫 (小有名气)
首先，SiC难烧结，所以含量越少气孔越少；其次氧化铝含量的提高有助于与碳化硅表面二氧化硅形成液相促进烧结。/你这个是复相陶瓷的问题，易于烧结相越多气孔率会越低，就这么简单！！！
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4楼2010-07-13 16:44:07
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