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popsking

银虫 (小有名气)


[交流] 【求助】关于β-SiC问题

β-SiC最低在什么温度下就可以生成,在pdf卡片上,像75- 254;65-360;73-1665都是β-SiC立方晶型啊,它们有什么区别,如何去选择判断?
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dcl163

金虫 (正式写手)


1

★ ★
popsking(金币+1):谢谢参与
csuhcb2000(金币+1):欢迎交流 2010-12-15 17:25:09
应该是在1600度以上才会形成α碳化硅
你查的这几种应该是晶型不一样吧
比如 4H-SiC在2000℃左右生成;15R—SiC需在2100℃以上的高温生成

[li]popsking: 我的意思是说β-SiC的最低生成温度大概在 ... [查看详情][/li]
2楼2010-12-15 17:16:36
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popsking

银虫 (小有名气)


我的意思是说β-SiC的最低生成温度大概在什么温度,上面可能卡片号写错了,β-SiC晶型有好多卡片的,比如73--1665,73--1780,75--245 !这些该如何选择?
3楼2010-12-15 17:55:46
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googo3300

木虫 (正式写手)



popsking(金币+1):谢谢参与
popsking(金币+5):谢谢你的回答,虽然没有回答全我的问题 2010-12-17 12:45:15
用先驱体发大概在1000度,CVD法大概在1200度。β-SiC在XRD PDF卡片上有三个明显的衍射峰,对应的2塞塔角为35度,中间这个好像是45度(记不清了),71度
4楼2010-12-16 00:05:19
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abcd007140

铁杆木虫 (著名写手)



popsking(金币+1):谢谢参与
关注
7楼2010-12-17 21:32:36
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zx529

金虫 (正式写手)



popsking(金币+1):谢谢参与
用precursor的话,1000℃会有β-SiC生成。
8楼2010-12-20 13:28:41
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纳米管

银虫 (正式写手)



popsking(金币+1):谢谢参与
CVD 1200-1400都可以吧。1400以上没有试过,炉子顶不住
9楼2010-12-20 16:29:43
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popsking

银虫 (小有名气)


引用回帖:
Originally posted by zx529 at 2010-12-20 13:28:41:
用precursor的话,1000℃会有β-SiC生成。

我的是原位合成,采用热压烧结而成
10楼2010-12-20 17:07:25
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yk9999yk

木虫 (小有名气)



popsking(金币+1):谢谢参与
popsking(金币+3):我想知道热压最低在什么温度下就能生成,还有PDF卡片的选择 2010-12-21 22:31:14
一般低温下合成的都是β-SiC,超过2000度才开始转化成α相!
11楼2010-12-21 21:50:37
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yk9999yk

木虫 (小有名气)



csuhcb2000(金币+1):说的不错,欢迎交流 2010-12-22 17:30:07
这个可以考虑读几篇有关SiC的合成文献,不少文献里都回提到对应的卡片号!
记得当时我做的时候就随便选了一个,β-SiC的衍射峰很少,大概的最强峰在35.5度其余还有41……
12楼2010-12-22 09:40:18
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简单回复
5633248985楼
2010-12-17 21:20   回复  
popsking(金币+1):谢谢参与
062330536楼
2010-12-17 21:25   回复  
popsking(金币+1):谢谢参与
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