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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 无机非金属 » 前沿热点 » 【求助】关于β-SiC问题
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popsking

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】关于β-SiC问题

β-SiC最低在什么温度下就可以生成，在pdf卡片上，像75- 254；65-360；73-1665都是β-SiC立方晶型啊，它们有什么区别，如何去选择判断？
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1楼 2010-12-15 15:55:39
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dcl163

金虫 (正式写手)

1

★ ★
popsking(金币+1):谢谢参与
csuhcb2000(金币+1):欢迎交流 2010-12-15 17:25:09
应该是在1600度以上才会形成α碳化硅
你查的这几种应该是晶型不一样吧
比如 4H－SiC在2000℃左右生成；15R—SiC需在2100℃以上的高温生成

[li]popsking: 我的意思是说β-SiC的最低生成温度大概在 ... [查看详情][/li]
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2楼2010-12-15 17:16:36
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popsking

银虫 (小有名气)
我的意思是说β-SiC的最低生成温度大概在什么温度，上面可能卡片号写错了，β-SiC晶型有好多卡片的，比如73--1665,73--1780，75--245 ！这些该如何选择？
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3楼2010-12-15 17:55:46
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googo3300

木虫 (正式写手)
★
popsking(金币+1):谢谢参与
popsking(金币+5):谢谢你的回答，虽然没有回答全我的问题 2010-12-17 12:45:15
用先驱体发大概在1000度，CVD法大概在1200度。β-SiC在XRD PDF卡片上有三个明显的衍射峰，对应的2塞塔角为35度，中间这个好像是45度（记不清了），71度
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4楼2010-12-16 00:05:19
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abcd007140

铁杆木虫 (著名写手)
★
popsking(金币+1):谢谢参与
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7楼2010-12-17 21:32:36
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zx529

金虫 (正式写手)
★
popsking(金币+1):谢谢参与
用precursor的话，1000℃会有β-SiC生成。
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8楼2010-12-20 13:28:41
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纳米管

银虫 (正式写手)
★
popsking(金币+1):谢谢参与
CVD 1200-1400都可以吧。1400以上没有试过，炉子顶不住
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9楼2010-12-20 16:29:43
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popsking

银虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by zx529 at 2010-12-20 13:28:41:
用precursor的话，1000℃会有β-SiC生成。

我的是原位合成，采用热压烧结而成
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10楼2010-12-20 17:07:25
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yk9999yk

木虫 (小有名气)
★
popsking(金币+1):谢谢参与
popsking(金币+3):我想知道热压最低在什么温度下就能生成，还有PDF卡片的选择 2010-12-21 22:31:14
一般低温下合成的都是β-SiC，超过2000度才开始转化成α相！
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11楼2010-12-21 21:50:37
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yk9999yk

木虫 (小有名气)
★
csuhcb2000(金币+1):说的不错，欢迎交流 2010-12-22 17:30:07
这个可以考虑读几篇有关SiC的合成文献，不少文献里都回提到对应的卡片号！
记得当时我做的时候就随便选了一个，β-SiC的衍射峰很少，大概的最强峰在35.5度其余还有41……
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12楼2010-12-22 09:40:18
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5633248985楼
2010-12-17 21:20   回复  
popsking(金币+1):谢谢参与
062330536楼
2010-12-17 21:25   回复  
popsking(金币+1):谢谢参与
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