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ustbmars铜虫 (小有名气)
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【求助】如何使用VASP计算charged defect的形成焓 已有5人参与
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| 对离子晶体，例如Al2O3，当需要计算Al+3或O-2离子空位的形成焓时，如何考虑体系的电中性问题？ 敬请指教. |
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 带电掺杂体系形成能 | vasp计算资料 | first principle |
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ustbmars
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zzy870720z(金币+2):鼓励讨论交流 2010-12-16 07:57:27
zzy870720z(金币+2):鼓励讨论交流 2010-12-16 07:57:27
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赫赫,你可能只看了图, 没细看整篇文章吧? 这篇文章计算了形成能与费米能的关系没错, 但也讲到了费米能是让体系保持点中性来确定的. 文章开头在introduction 部分就提到了: No free carriers are present and the Fermi-level position, determined by the charge neutrality condition, is far from the conduction- and valence-band edges, as expected for an insulator. In the absence of impurities the Fermi-level position will be determined by those native point defects that have the lowest formation energy and opposite charges. 在results部分也写了 Assuming that VH + , Hi−, and VMg2− are the dominant defects and in the absence of free carriers, the Fermi-level position is determined by the charge neutrality condition which imposes that the total amount of positive charge equal to the concentration of VH + is equal to the total amount of negative charge the sum of the concentration of Hi− plus twice the concentration of VMg2−  . |
7楼2010-12-16 04:58:52
2楼2010-12-14 09:28:16
ustbmars
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3楼2010-12-15 01:12:57
4楼2010-12-15 15:13:22
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