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【求助】可以从非晶硅的电池的参数推出沉积异常问题出在哪吗？ 已有1人参与
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| 如题，可以根据非晶硅薄膜电池的参数例如：开压（VOC）、短流（ISC）、填充因子（FF）推断出大概沉积不良的原因吗？比如说沉积温度不够，P、I、N层沉积不良、电源辉光短期异常或者其他原因？现在公司量产非晶硅电池偶尔就有整炉的低功率出现，而且毫无规律性，但可以确保不是公艺的问题，对于整炉的沉积不良很头疼，请各位达人各抒己见，不甚感激！！ |
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andyzhao5858
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