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【求助】可以从非晶硅的电池的参数推出沉积异常问题出在哪吗? 已有1人参与
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| 如题,可以根据非晶硅薄膜电池的参数例如:开压(VOC)、短流(ISC)、填充因子(FF)推断出大概沉积不良的原因吗?比如说沉积温度不够,P、I、N层沉积不良、电源辉光短期异常或者其他原因?现在公司量产非晶硅电池偶尔就有整炉的低功率出现,而且毫无规律性,但可以确保不是公艺的问题,对于整炉的沉积不良很头疼,请各位达人各抒己见,不甚感激!! |
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andyzhao5858
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