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【原创】应用材料计划重返硅蚀刻领域，投放新型装置 已有1人参与
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应用材料计划重返硅蚀刻领域，投放新型装置 2010/12/02 00:00 打印 E-mail  （点击放大）  （点击放大）  （点击放大）  （点击放大）  （点击放大）  （点击放大）  （点击放大） 美国应用材料（AMAT）2010年11月30日宣布，为了重返硅蚀刻领域，开发出了新型蚀刻装置“Centris AdvantEdge Mesa Etch”，并决定在12月举行的“SEMICON Japan 2010”上展示。AMAT表示，在Si蚀刻领域的市场份额方面，已被竞争企业美国科林研发（Lam Research）拉开了差距。作为打破这一局面的杀手锏，AMAT投放了此次的装置。此次新开发的装置与今年夏季发布的蚀刻腔室组合使用。对于间隙壁工艺的二次图形曝光技术（DP）用蚀刻装置等，该公司正在与包括DRAM厂商和NAND闪存厂商等在内的5家厂商进行商谈，其中2家为新客户。 关于此次的装置，AMAT的副总裁兼刻蚀事业部总经理Ellie Yieh自信地表示，“这是一款同时兼顾高生产效率及高性能的装置”。生产效率方面，装置的形状从原来的六角形改成了与该公司“Producer”一样的四角形，还配备了两个搬运机器人。各边均安装2个蚀刻腔室，并将原来占用六角形一边的清洁腔室与加载互锁真空室集成于一体。通过采用这样的配置，配备的腔室数量扩大到了原来的2倍达到8个，而且减小了设置面积，同时处理能力还提高到了原来的2倍，最多为180片/小时。据AMAT介绍，每片晶圆的COO（拥有成本）可最多削减30％。 性能方面，各蚀刻腔室的线宽（CD）在晶圆面内的不均匀性为小于1nm，蚀刻深度在晶圆面内的不均匀性为小于1％。此外，为了抑制腔室间的不均，还配备了自动校准腔室的功能。利用该功能，该公司可在腔室没有进行工艺处理时自动校准，从而减小腔室之间的不均匀性。据AMAT介绍，该产品还注重环保，消耗能量削减了35％，另外还减少了用水量及二氧化碳排放量（英文发布资料）。（记者：长广 恭明） ■日文原文 【セミコン·プレビュー】AMATがSiエッチング分野の巻き返しへ，新型装置を投入 |
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