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jackson19银虫 (正式写手)
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【请教】做PL使用仪器问题以及其他相关问题？ 已有4人参与
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最近想做硅纳米结构材料的光致发光，使用的是日立F-4500荧光分光光度计，做出来的结果基本上没与硅材料带隙重合，选择时激发光选择比文献报道的514.5nm都小，对于这个现象我有以下几个问题： 1.大家做PL用的是什么仪器，激发光源如何选择？用荧光分光光度计如果能行的话，是不是材料的选择限定于荧光发光较强的材料呢？ 2.同种材料根据带隙计算出发光波长，偏差很大是否基本上就是错误的？（排除红移蓝移） 3.两种不同材料复合时，假如能形成PN结，这种材料的PL谱图中发光波长理论值如何计算？ |
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2楼2010-11-19 01:39:09
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有几个问题需要明确一下。 1.你的样品是固体样品吗？你做的纳米硅尺寸如何？均匀性如何？ 2.你的样品的光致发光是否有别的一些发光机制的可能？比如：表面态、缺陷、激子束缚等 3.F4500似乎不能测红外荧光。好像最多到900吧。如果是量子尺寸效应导致的发光，在900nm波长范围内应该能看到的，一般集中在红光波段。如果你的发光靠近蓝光、紫外的话，很可能是表面缺陷（比如二氧化硅中的一些缺陷）和Si-H/Si-HO等化学键的发光。 4.建议楼主找一篇好点的综述看看，会有一个比较全面的认识，这样再定位到自己的实验，就很有帮助。 |
3楼2010-11-19 09:54:03
jackson19
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4楼2010-11-19 13:28:55
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1. 我猜测你做的纳米线阵列是湿化学法做的吧？是不是参考的清华的彭奎庆（现在在北师大）还是南大的邱腾（现在在东南大学）的文章？。。。我的直觉而已哈 2. 我的回复中第3条中提到了：如果你的发光靠近蓝光、紫外的话，很可能是表面缺陷（比如二氧化硅中的一些缺陷）和Si-H/Si-HO等化学键的发光。 3. 你样品的发光是不是大概在350-370nm、400-420nm、470nm？我觉得是二氧化硅缺陷发光的可能性比较大，还有就是Si-H/Si-HO等化学键的发光。 除尺寸效应相关的机制外，在我的回帖第二条提到了别的机制（有：表面态、缺陷、激子束缚）。 4. 之所以排除量子尺寸带来的蓝移现象，是出于以下考虑：你制备的纳米结构（线阵列）的尺寸再怎么样小，也不太可能小于几个nm吧。而量子尺寸效应的适用范围是要求材料尺度要小于激子波尔半径的 |
5楼2010-11-19 13:49:13
jackson19
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6楼2010-11-19 14:51:44
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我3年前做过点这方面的工作，250-300nm激发应该都可以啊。 我觉得基本上就是缺陷发光了，无非是硅氧化物的氧过剩/不足/空位等缺陷发光，还有就是Si-H和Si-HO的发光。看来你的思路和我当时差不多啊，呵呵，不过我觉得这东西没啥搞头了，我倒是建议你往传感器方面去做，彭奎庆已经用这个结构做了好多器件了（主要是各种电池），Nano Letters，ADV,AFM,angrew，apl这些杂志都发遍了！邱腾则把和这个结构有关的贵金属纳米结构的荧光做透了，用一般的思路和仪器表征手段很难有什么突破了！看你什么要求了，认真点，得往应用上靠才能有点东西出来，不然就往多孔硅发光机理和表面修饰上走，凑篇垃圾的SCI了事。 [ Last edited by SCU_magiclee on 2010-11-19 at 15:03 ] |
7楼2010-11-19 15:00:20
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