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jackson19

银虫 (正式写手)

[交流] 【请教】做PL使用仪器问题以及其他相关问题?已有4人参与

最近想做硅纳米结构材料的光致发光,使用的是日立F-4500荧光分光光度计,做出来的结果基本上没与硅材料带隙重合,选择时激发光选择比文献报道的514.5nm都小,对于这个现象我有以下几个问题:
   1.大家做PL用的是什么仪器,激发光源如何选择?用荧光分光光度计如果能行的话,是不是材料的选择限定于荧光发光较强的材料呢?
   2.同种材料根据带隙计算出发光波长,偏差很大是否基本上就是错误的?(排除红移蓝移)
   3.两种不同材料复合时,假如能形成PN结,这种材料的PL谱图中发光波长理论值如何计算?
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jackson19

银虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by SCU_magiclee at 2010-11-19 09:54:03:
有几个问题需要明确一下。
1.你的样品是固体样品吗?你做的纳米硅尺寸如何?均匀性如何?
2.你的样品的光致发光是否有别的一些发光机制的可能?比如:表面态、缺陷、激子束缚等
3.F4500似乎不能测红外荧光。好 ...

非常感谢您的回答
  1.样品是固态的样品,形貌是硅(多孔硅)纳米线阵列结构,均匀性还可以的。
  2。对于光致发光机理,主要是借鉴多孔硅的发光机理,看有没有改变或者新的现象,实验是根据实验设备和自己的目前实验设计的,对这方面也不是很懂,看过一些文献。
  3.F4500不能测红外光这个我倒是清楚,按多孔硅的机理,应该不是在红外区的。
   按照您您提的问题,我是不是可以这样认为:
1.F4500是能够测量PL的,只要材料的发光波长不在红外就行。
2.还有一点对于固态材料,除了发光机理外,材料的形貌特征等因素也是重要的影响因素,这个形貌特征仅限于尺寸效应吗,还有其他的机理呢?
奋斗在今天开始!!
4楼2010-11-19 13:28:55
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jackson19

银虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by SCU_magiclee at 2010-11-19 13:49:13:
1. 我猜测你做的纳米线阵列是湿化学法做的吧?是不是参考的清华的彭奎庆(现在在北师大)还是南大的邱腾(现在在东南大学)的文章?。。。我的直觉而已哈
2. 我的回复中第3条中提到了:如果你的发光靠近蓝光、紫 ...

呵呵,确实是采用湿法做的,看来您也是用这种方法制备了,发光是在350左右和470左右,可是我想问一下您用的激发波长是多少啊?
奋斗在今天开始!!
6楼2010-11-19 14:51:44
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jackson19

银虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by SCU_magiclee at 2010-11-19 15:00:20:
我3年前做过点这方面的工作,250-300nm激发应该都可以啊。
我觉得基本上就是缺陷发光了,无非是硅氧化物的氧过剩/不足/空位等缺陷发光,还有就是Si-H和Si-HO的发光。看来你的思路和我当时差不多啊,呵呵,不过我 ...

呵呵,看来是前辈啊!
不知道留意这种方法制备多孔硅纳米线阵列的进展没,文献中报道用514.5nm激发,发光与多孔硅一样,可是我做出来的硅纳米线阵列与多孔硅纳米线阵列并无差,感觉很诧异而已?
本来做发光只是目前设计实验的一点环节,没想到和别人的差别挺大,和您说的倒是基本能对上了  呵呵
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8楼2010-11-19 15:08:06
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