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lvyanwei91

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[交流] 【请教】关于晶格错配度和晶体内部位错之间的关系！已有1人参与

本人研究一种外延法生长的单晶涂层，涂层和基体之间存在一定程度的错配，我想知道，晶格错配对晶体生长过程中的影响结果，除了内应力外，从晶体结构方面能否看出来其他的现象（比如单晶涂层内部的位错，畸变缺陷等），是否可以从透射电镜观察到的涂层内部的位错类型体现出基体与涂层之间的错配程度？
   因为通过测定错配应力的方法表征上述晶格错配太过于麻烦，所以就想通过TEM表征。因为对于涂层来说，其内部的晶格缺陷和位错等，主要来源于两个方面，一个是生长过程中（这个占主要），另一个就是继承基体缺陷和与基体之间的错配影响（这个在外延生长，尤其是异质外延生长中最常见）。
   所以想请教一下各位达人！有没有做单晶方面的，尤其是外延生长的，做过这方面研究的！指点一下哈！
   因为材料结构决定性能，所以，提高性能的途径之一就是从研究其结构完整性出发，所以，对于单晶涂层内部的完整性和缺陷的研究也是其制备的主要方面！


多谢哈！

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