| 查看: 536 | 回复: 2 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
jlu_w木虫 (正式写手)
|
[交流]
【求助】请教 半导体肖特基结耗尽层方面已有2人参与
|
||
|
小弟做了种材料 电子迁移率很低 1 E-5 m2/vs d电子浓度大约1 E+12 cm-3 照此计算，耗尽层宽度大约40多微米 请问可能么？ |
回复此楼» 猜你喜欢
请问各位大佬ACS投稿状态这样是成功了吗？
已经有6人回复
-
中南大学易小艺课题组诚招2026申请-考核制博士生
已经有0人回复
-
无机化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有125人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
请教n型半导体TiO2的能级结构
已经有9人回复- 怎么解释 Pt/TiO2催化制氢后，表面价态改变？
已经有11人回复
- 【请教】n型半导体和P型半导体具体区别？
已经有4人回复
- 【请教】有关P N型半导体的问题
已经有19人回复
- 【求助】为什么本征半导体不能用于制备二极管
已经有9人回复
- 【求助】请教半导体的费米能级问题
已经有13人回复
- 【请教】半导体材料测PL光致发光光谱
已经有15人回复
jlu_w
木虫 (正式写手)
- 应助: 5 (幼儿园)
- 金币: 4077.9
- 散金: 1696
- 红花: 1
- 沙发: 1
- 帖子: 629
- 在线: 233.5小时
- 虫号: 1007700
- 注册: 2010-04-28
- 性别: GG
- 专业: 半导体光电子器件
3楼2010-11-11 10:45:12
liyaofaith
金虫 (正式写手)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 943.9
- 帖子: 332
- 在线: 68.1小时
- 虫号: 1116852
- 注册: 2010-10-08
- 性别: GG
- 专业: 半导体电子器件
2楼2010-11-10 21:42:12